[實用新型]一種具有噴霧功能的濕法刻蝕機

有效

• 申請號: 201220362016.3
• 申請日: 2012-07-25
• 公開（公告）號: CN202839710U
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 王虎;姚琪;陸波;邱小永
• 申請（專利權）人: 浙江貝盛光伏股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/306
• 代理公司: 湖州金衛知識產權代理事務所(普通合伙) 33232
• 代理人: 裴金華

技術領域

本實用新型屬于晶體硅太陽能電池片濕法刻蝕生產制造領域，具體涉及一種具有噴霧功能可將水膜完全覆蓋在硅片表面的濕法刻蝕機。

背景技術

目前晶體硅太陽能電池片的主要生產流程為，制絨，擴散，濕法刻蝕，鍍膜和印刷測試。其中，在濕法刻蝕工序中，硅片經常出現“過刻”現象，繼而產生電池片返工、外觀降級或者光電轉換效率降低的異常現象。?

目前的濕法刻蝕工藝，主要是在硅片上覆蓋一層保護正面擴散層的水膜，然后經過混酸溶液進行邊緣和背面腐蝕，以達到刻蝕目的。然而，生產過程中由于受到擴散后硅片表面狀態差異、機臺抽風的穩定性、液體循環流量穩定性和腐蝕液液位穩定性等影響，硅片表面經常會出現水膜覆蓋不完全，由于硅片正面局部區域缺乏水膜的保護，從而導致腐蝕液體和氣體對硅片正面區域進行腐蝕，造成“過刻”現象。

而目前常見的通過對水膜水量大小的調節，不能有效避免硅片正面局部出現的過刻現象，尤其是刻蝕前硅片存放時間過長，或者硅片正面有吸筆印，造成硅片表面狀態發生變化，即硅片表面區域由親水型變成疏水型，水流無法完全覆蓋。同時。水流過量調節過大，一方面不會完全解決局部水膜覆蓋不上的問題，另一方面過大的水膜量也會造成硅片邊緣刻蝕不通，繼而導致電池片漏電異常。產生“過刻”現象的硅片，會造成電池片返工、外觀降級或者光電轉換效率降低。?“過刻”現象是電池片濕法刻蝕的生產中所禁止的。

實用新型內容

本實用新型的目的是為解決上述問題提供一種利用霧滴將水膜完全覆蓋在硅片表面的具有噴霧功能的濕法刻蝕機。

本實用新型的上述技術目的是通過以下技術方案得以實現的：

一種具有噴霧功能的濕法刻蝕機，所述濕法刻蝕機包括刻蝕機臺和設置于刻蝕機臺上用于傳送硅片的滾輪，所述刻蝕機臺上方設置有噴水裝置，所述刻蝕機臺上方位于噴水裝置與硅片傳送方向相反的一側設置有噴霧裝置，所述噴霧裝置噴出的霧滴覆蓋硅片表面。

作為優選，所述噴霧裝置包括連接板和設置于連接板上的噴頭。

作為優選，所述連接板上設置有一個噴頭。

作為優選，所述連接板上設置有多個噴頭。

作為優選，所述噴頭噴霧方向與所述硅片傳送方向呈30－150度角。

作為優選，所述霧滴的直徑為1－1000微米。

作為優選，所述噴霧裝置噴出的霧滴為去離子水。

作為優選，所述連接板上設置有兩個噴頭，分別位于連接板兩端并與連接板形成一個倒置的梯形槽狀。

為了避免水膜覆蓋不完全，特在水流覆蓋到硅片前，添加噴霧裝置，利用霧狀液滴對硅片表面有較強吸附力，以及霧滴可以降低水流在硅片表面張力的原理，可以使水膜在硅片表面完全覆蓋。

綜上所述，本實用新型具有以下有益效果：

1、通過噴霧裝置有設置，水膜完全覆蓋硅片表面，有效的防止硅片過刻或電池漏電現象，提高了產品的成品率以及成品質量。

2、該噴霧裝置結構簡單，成本低。

附圖說明：

圖1是刻蝕機臺、噴水裝置和噴霧裝置示意圖；

圖中1－硅片，2－滾輪，3－噴水裝置，4－噴霧裝置，41－噴頭，42－連接板。

具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型作進一步詳細說明。

本具體實施例僅僅是對本實用新型的解釋，其并不是對本實用新型的限制，本領域技術人員在閱讀完本說明書后可以根據需要對本實施例做出沒有創造性貢獻的修改，但只要在本實用新型的權利要求范圍內都受到專利法的保護。?

實施例一：

如附圖所示一種具有噴霧功能的濕法刻蝕機，所述濕法刻蝕機包括刻蝕機臺和設置于刻蝕機臺上用于傳送硅片1的滾輪2，所述刻蝕機臺上方設置有噴水裝置3，所述刻蝕機臺上方位于噴水裝置3與硅片1傳送方向相反的一側設置有噴霧裝置4，所述噴霧裝置4噴出的霧滴覆蓋硅片1表面。所述噴霧裝置4包括連接板42和設置于連接板42上的噴頭41。所述連接板42上設置有兩個噴頭41，分別位于連接板42兩端并與連接板42形成一個倒置的梯形槽狀。所述兩個噴頭41噴霧方向與所述硅片1傳送方向呈45度和135度角。所述霧滴的直徑為1微米。所述噴霧裝置4噴出的霧滴為去離子水。

硅片1在刻蝕機臺上經滾輪2傳送過程中，先經過噴霧裝置4，對硅片1表面進行噴淋霧滴，霧滴附著在硅片1表面，再經噴水裝置3噴淋水膜，利用霧狀液滴對硅片1表面有較強吸附力，以及霧滴可以降低水流在硅片1表面張力的原理，可以使水膜在硅片表面完全覆蓋。