[實用新型]一種MWT太陽能電池有效
| 申請號: | 201220316211.2 | 申請日: | 2012-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN202695465U | 公開(公告)日: | 2013-01-23 |
| 發明(設計)人: | 沈燕龍;趙文超;王建明;陳迎樂;陳劍輝;王子謙;李高非;胡志巖;熊景峰 | 申請(專利權)人: | 英利能源(中國)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 071051 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 mwt 太陽能電池 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池制作工藝技術領域,更具體地說,涉及一種MWT太陽能電池。
背景技術
隨著能源危機的日益凸顯,開發利用新能源成為當今能源領域研究的主要課題。由于太陽能具有無污染、無地域性限制、取之不竭等優點,研究太陽能發電成為開發利用新能源的主要方向。通過太陽能電池進行太陽能發電是當今人們使用太陽能的一種主要方式。傳統的太陽能電池的正極、負極是分別位于電池片的受光面和背光面。而位于電池片正面的電極會對受光面造成遮擋,減小了受光面積,影響太陽能電池的光電轉換效率。
金屬過孔硅太陽能電池(Metal?Wrap?Through?Silicon?Solar?Cell),簡稱MWT太陽能電池,是為解決傳統太陽能電池受光面被遮擋問題的一種太陽能電池。MWT太陽能電池是通過過孔電極將位于太陽能電池正面的電極引至太陽能電池的背光面,在受光面通過面積較小的正面電極實現過孔電極之間的耦合,從而減小了柵線對受光面的遮擋。現有的MWT太陽能電池雖然減小柵線遮光面積,在一定程度上提高了光電轉換效率,但是若過孔電極電阻不能很好控制,會導致其填充因子下降,降低其光電轉換效率。
實用新型內容
為解決上述技術問題,本實用新型提供一種MWT太陽能電池,所述MWT太陽能電池的過孔電極電阻較小,具有較高的光電轉換效率。
為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:
一種MWT太陽能電池,包括:
太陽能電池片;
設置在所述太陽能電池片受光面的正面電極;
設置在所述太陽能電池片背光面的正面電極接觸點;
設置在所述太陽能電池片背光面的背面電極;
垂直貫穿所述太陽能電池片的多個導電通孔,所述導電通孔內設置有過孔電極,所述過孔電極連接所述正面電極和正面電極接觸點;
其中,所述導電通孔的孔徑不大于所述正面電極的最大線寬。
優選的,上述太陽能電池中,所述導電通孔的孔徑為220μm-480μm。
優選的,上述太陽能電池中,所述導電通孔的形狀為圓柱形或棱柱形。
優選的,上述太陽能電池中,所述過孔電極為銀質電極或鋁質電極。
優選的,上述太陽能電池中,所述正面電極為銀質正面電極或鋁質正面電極。
優選的,上述太陽能電池中,所述正面電極接觸點為銀質電極接觸點或鋁質電極接觸點。
優選的,上述太陽能電池中,所述背面電極為銀質背面電極或鋁質背面電極。
優選的,上述太陽能電池中,所述正面電極接觸點的直徑為3mm-5mm。
優選的,上述太陽能電池中,所述正面電極的線寬為0.5mm-1.5mm。
優選的,上述太陽能電池中,所述太陽能電池片為P型單晶硅太陽能電池片或N型單晶硅太陽能電池片。
從上述技術方案可以看出,本實用新型所提供的MWT太陽能電池包括:太陽能電池片;設置在所述太陽能電池片受光面的正面電極;設置在所述太陽能電池片背光面的正面電極接觸點;設置在所述太陽能電池片背光面的背面電極;垂直貫穿所述太陽能電池片的多個導電通孔,所述導電通孔內設置有過孔電極,所述過孔電極連接所述正面電極和正面電極接觸點;其中,所述導電通孔的孔徑不大于所述正面電極的最大線寬。
所述太陽能電池通過多個所述過孔電極連接所述正面電極以及正面電極接觸點,在所述導電通孔的孔徑不超過所述正面電極最大線寬的條件下,通過增大所述導電通孔的孔徑,即增加所述過孔電極的截面積,可以降低所述過孔電極的電阻值;同時,所述導電通孔垂直貫穿所述太陽能電池片,從而保證了過孔電極長度最小,使得所述過孔電極的電阻值較小。因此,所述MWT太陽能電池過孔電極的電阻值較小,從而能夠提高MWT太陽能電池的光電轉換效率。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本實用新型實施例提供的一種MWT太陽能電池的結構示意圖。
具體實施方式
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





