[實用新型]一種晶體硅太陽能組件有效
| 申請號: | 201220315938.9 | 申請日: | 2012-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN202797010U | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發明(設計)人: | 沈彪;李向清;胡德良 | 申請(專利權)人: | 江蘇愛多光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/05 |
| 代理公司: | 江陰大田知識產權代理事務所(普通合伙) 32247 | 代理人: | 王明亮 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶體 太陽能 組件 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種晶體硅太陽能組件。
背景技術
傳統的晶體硅太陽能組件包括左回路、中間回路以及右回路,所述的左回路、中間回路、右回路三者通過匯流帶連接到接線盒內,結溫較高,易因過熱造成盒體變形,且匯流帶使用量較大,造成組件內部的功勞損耗較高,且組件在應用時,電纜線的使用量較大,系統內部的功勞損耗較高。
實用新型內容
本實用新型的目的在于克服現有技術中存在的缺陷,提供一種晶體硅太陽能組件,降低了結溫,降低了匯流帶以及電纜線的使用量,降低了功勞損耗。
為實現上述目的,本實用新型的技術方案是提供了一種晶體硅太陽能組件,包括左回路、中間回路以及右回路,還包括位于所述的左回路內的左輸出單元、位于所述的中間回路內的旁路單元、位于所述的右回路內的右輸出單元、與所述的左輸出單元相連接的左輸出端、與所述的右輸出單元相連接的右輸出端,所述的左輸出單元、所述的旁路單元、所述的右輸出單元分別相串聯設置。
作為優選地,所述的左輸出單元包括左盒體、設置于所述的左盒體上的兩個鍍錫層、分別將兩個所述的鍍錫層相連接的兩個二極管、設置于其中一個所述的鍍錫層上的匯流帶,所述的左輸出端與另一個所述的鍍錫層相連接。
作為優選地,所述的旁路單元包括中間盒體、設置于所述的中間盒體上的兩個鍍錫層、分別將兩個所述的鍍錫層相連接的兩個二極管、分別設置于兩個所述的鍍錫層上的匯流帶。
作為優選地,所述的右輸出單元包括右盒體、設置于所述的右盒體上的兩個鍍錫層、分別將兩個所述的鍍錫層相連接的兩個二極管、設置于其中一個所述的鍍錫層上的匯流帶,所述的右輸出端與另一個所述的鍍錫層相連接。
本實用新型的優點和有益效果在于:采用二極管分體式設計,大幅度降低了結溫,避免了因過熱造成的盒體變形,通過采用兩端輸出,降低了匯流帶的使用量,降低了組件內部的功勞損耗,且在應用時,降低了電纜線的使用量,降低了系統內部的功勞損耗。
附圖說明
圖1為本實用新型示意圖;
圖2為左輸出單元的示意圖;
圖3為旁路單元的示意圖;
圖4為右輸出單元的示意圖。
圖中:1、左回路;2、中間回路;3、右回路;4、左輸出單元;5、旁路單元;6、右輸出單元;7、左輸出端;8、右輸出端;9、左盒體;10、鍍錫層;11、二極管;12、匯流帶;13、中間盒體;14、右盒體。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例,對本實用新型的具體實施方式作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本實用新型的技術方案,而不能以此來限制本實用新型的保護范圍。
如圖1所示,一種晶體硅太陽能組件,包括左回路1、中間回路2以及右回路3,還包括位于所述的左回路1內的左輸出單元4、位于所述的中間回路2內的旁路單元5、位于所述的右回路3內的右輸出單元6、與所述的左輸出單元4相連接的左輸出端7、與所述的右輸出單元6相連接的右輸出端8,所述的左輸出單元4、所述的旁路單元5、所述的右輸出單元6分別相串聯設置。
如圖2所示,所述的左輸出單元4包括左盒體9、設置于所述的左盒體9上的兩個鍍錫層10、分別將兩個所述的鍍錫層10相連接的兩個二極管11、設置于其中一個所述的鍍錫層10上的匯流帶12,所述的左輸出端7與另一個所述的鍍錫層10相連接。
如圖3所示,所述的旁路單元5包括中間盒體13、設置于所述的中間盒體13上的兩個鍍錫層10、分別將兩個所述的鍍錫層10相連接的兩個二極管11、分別設置于兩個所述的鍍錫層10上的匯流帶12。
如圖4所示,所述的右輸出單元6包括右盒體14、設置于所述的右盒體14上的兩個鍍錫層10、分別將兩個所述的鍍錫層10相連接的兩個二極管11、設置于其中一個所述的鍍錫層10上的匯流帶12,所述的右輸出端8與另一個所述的鍍錫層10相連接。
以上所述僅是本實用新型的優選實施方式,應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本實用新型技術原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





