[實用新型]一種發酵類制藥廢水達標排放處理系統有效
| 申請號: | 201220303856.2 | 申請日: | 2012-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN202744421U | 公開(公告)日: | 2013-02-20 |
| 發明(設計)人: | 龔鵬程;邊振東;葉宗委;葉進峰 | 申請(專利權)人: | 浙江新世科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C02F9/14 | 分類號: | C02F9/14 |
| 代理公司: | 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100 | 代理人: | 趙紅英 |
| 地址: | 310003 浙江省杭州市江干*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發酵 制藥 廢水 達標 排放 處理 系統 | ||
技術領域
?本實用新型屬于環保技術領域,特別涉及一種發酵類制藥廢水達標排放處理系統。
背景技術
發酵類制藥主要是通過發酵的方法產生抗生素和其他活性成分,然后再經過分離、純化、精制等工序生產出藥品的過程。在生產過程中會排出大量高有機物的廢水,且廢水中含有大量抑制生物生長的因子。根據GB21903-2008的標準,發酵類制藥廢水排放需滿足以下要求:COD≦120mg/l;BOD≦40mg/l;氨氮≦35mg/l;廢水中殘留的抗生素和高濃度有機物使傳統的生化處理難以滿足新的排放標準,因為殘留的抗生素對微生物具有抑制作用,使得后期生化處理效率較低。后期引進高級氧化工藝(芬頓氧化等)存在運行費用高,管理麻煩等弊病,后處理工藝一般都采用的普通厭氧和傳統UASB,沒有根據發酵類制藥廢水的特性制定有針對性的工藝改造。
發明內容
針對現有技術存在的問題,本實用新型所要解決的技術問題是:提供一種發酵類制藥廢水達標排放處理系統。該處理系統反應池處理廢水的能力強,運行費用低。
為了解決上述技術問題,本實用新型采用以下技術方案:
一種發酵類制藥廢水達標排放處理系統,其特征在于:它包括通過管道依次連接的廢水調節池、微電解反應池、混凝沉淀池、中間水池、UBF池、一次沉淀池、高負荷好氧生物池及MBR池,調節池廢水由提升泵提升至微電解反應池,調節池底部設有穿孔曝氣管,并設置自動加酸計量泵,微電解反應池投加雙氧水,中間水池設置加酸泵一臺。
所述UBF池設有脈沖布水器及內回流裝置,UBF池的中部設有酶填料。
所述MBR池內的MBR膜采用抗污染的PVDF中空纖維膜。
本實用新型與現有技術相比具有以下有益效果:本處理系統通過大量的小試、中試,現已有大量的運用案例在各發酵類制藥廠運行。較傳統微電解技術,處理效果要提高15%左右,在原有的UASB池基礎上增加脈沖布水器、中部酶填料、內回流裝置。脈沖布水器能保證反應器死角較少到最少,提高反應器的處理效率;內回流裝置能保證污泥處于懸浮狀態,提高污泥處理效率,中部酶填料表面帶一定的正電荷,能吸附大量的細菌在其表面繁殖生長,這類細菌屬于優勢細菌,對廢水的波動具有較強的適應性;后期生物處理引進MBR膜生物反應器,膜生物反應器的引入,能大幅提高反應池的污泥濃度,一般能提高到10000mg/l,污泥濃度越高,反應池內的微生物含量越高,反應池處理廢水的能力就越強。
附圖說明
圖1為本實用新型結構框圖。
具體實施方式
參見圖1,一種發酵類制藥廢水達標排放處理系統,其特征在于:它包括通過管道依次連接的廢水調節池1、微電解反應池2、混凝沉淀池3、中間水池4、UBF池5、一次沉淀池6、高負荷好氧生物池7及MBR池8。
車間制藥廢水首先進入廢水調節池1,進行水質水量的調節,調節池1底部設有穿孔曝氣管,并設置自動加酸計量泵,使得調節池PH值保證在3-4之間,調節池廢水由提升泵提升至微電解反應池2,微電解反應池2投加雙氧水,投加比例0.5-1ml/L,使微電解反應池同時發生類芬頓反應。微電解的主要作用是破解廢水中的殘留抗生素和打斷大分子有機物,提供廢水的可生物處理性,微電解出水自流進入混凝沉淀池3,去除微電解產生的懸浮物,沉淀出水進入中間水池4,中間水池4設置加酸泵一臺,保證PH控制在7.5左右,中間水池4的水由提升泵打入UBF池5,UBF池5是在原UASB池的基礎上改進的,在傳統UASB的基礎上增設有脈沖布水器、內回流裝置,中部設有酶填料,改進后的UASB池簡稱UBF池,改良后的UBF池具有進水均勻,抗沖擊能力強,能處理有抑制生物生長的廢水,UBF池5出水進入一次沉淀池6,去除老化及系統不正常時的跑泥,沉淀池出水自流進入高負荷好氧生物池7,高負荷好氧生物池主要去除水中大部分的有機物,高負荷好氧生物池的出水自流進入MBR池8,MBR膜采用抗污染的PVDF中空纖維膜,MBR膜出水達到排放標準后直接排放。
工藝特點:
1、工藝預處理采用改良后的類芬頓微電解技術,較傳統微電解技術,處理效果要提高15%左右;和高級氧化相比,雖然有機物去除率稍比高級氧化差些,一般差5%左右,但是運行費用遠低于高級氧化,工藝控制也比高級氧化簡單;
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