[實用新型]橫向高壓晶體管

有效

• 申請號: 201220292703.2
• 申請日: 2012-06-21
• 公開（公告）號: CN202816953U
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 唐納徳·迪斯尼;歐力杰·米力克
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型的實施例涉及半導體器件，尤其涉及橫向高壓晶體管。

背景技術

通常，諸如應用于各種工業電子設備及消費電子設備中的集成高壓電源管理電路中，在其輸出端會包括高壓晶體管。應用于這些高壓電源管理電路中的高壓晶體管通常響應于控制信號而導通或關斷，從而將供電電壓轉換為適合驅動例如工業電子設備及消費電子設備的輸出電壓。大多數高壓電源管理電路接收的供電電壓可能比較高，例如高到1000V，因此，應用于這些高壓電源管理電路中的高壓晶體管應該能夠承受如此高的供電電壓。也就是說，為了保證電源管理電路的工作穩定性，應用于該電源管理電路中的高壓晶體管應該具有較高的擊穿電壓（breakdown?voltage）。同時，在實際應用中還希望應用于電源管理電路中的高壓晶體管具有較低的導通電阻（on-resistance），以改善該高壓晶體管的電流處理能力并提高所述電源管理電路的功率轉換效率。

通常，可以通過增大高壓晶體管中位于漏區與源區之間的漂移區的摻雜濃度來降低高壓晶體管的導通電阻。然而，漂移區摻雜濃度的增大使其更難于被耗盡，從而會導致高壓晶體管的擊穿電壓降低。因此，希望提供一種高壓晶體管器件，其可以不必犧牲擊穿電壓便具有較低的導通電阻。

實用新型內容

針對現有技術中的一個或多個問題，本實用新型的實施例提供一種高壓晶體管及其制造方法。

在本實用新型的一個方面，提出了一種高壓晶體管，包括：半導體層，具有第一導電類型；源區，具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型，該源區位于所述半導體層中；漏區，具有所述第二導電類型，該漏區位于所述半導體層中并與所述源區相分離；第一隔離層，形成在位于所述源區和漏區之間的所述半導體層上；第一阱區，具有所述的第二導電類型，該第一阱區環繞所述漏區形成，向所述源區延伸，但與所述源區相分離；柵區，形成在位于所述第二阱區和與該第二阱區鄰近的部分第一阱區之上的所述第一隔離層上；以及螺旋阻性場板，形成在位于所述漏區和所述柵區之間的所述第一隔離層上，其中所述螺旋阻性場板包括第一端和第二端，所述第一端耦接所述源區，所述第二端耦接所述漏區；以及掩埋層，形成于所述第一阱區中，掩埋在位于所述螺旋阻性場板下方的所述第一阱區中，具有所述的第一導電類型。

根據本實用新型的實施例，所述第一阱區包括位于所述螺旋阻性場板下方和所述掩埋層上方的第一部分，以及位于所述掩埋層下方和所述半導體層上方的第二部分。

根據本實用新型的實施例，所述螺旋阻性場板和所述掩埋層用于耗盡所述第一阱區的第一部分，所述掩埋層和所述半導體層用于耗盡所述第一阱區的第二部分。

根據本實用新型的實施例，所述第一阱區可以包括多個具有所述第二導電類型的摻雜區，其中每個摻雜區的摻雜濃度與其余摻雜區的摻雜濃度不同。

根據本實用新型的一個實施例，所述多個具有第二導電類型的摻雜區在離漏區最近到離漏區最遠的方向上具有逐步降低的摻雜濃度。

根據本實用新型實施例的高壓晶體管可以進一步包括：第二阱區，具有所述第一導電類型，并且形成于所述源區的外圍。

根據本實用新型實施例的高壓晶體管可以進一步包括：體接觸區，形成于所述源區附近，具有所述第一導電類型，并且與所述源電極耦接。

根據本實用新型的一個實施例，所述螺旋阻性場板的第一端與所述體接觸區耦接，而不再與所述源區耦接。

根據本實用新型的一個實施例，所述螺旋阻性場板的第一端與所述柵區耦接，而不再與所述源區耦接。

根據本實用新型的實施例的高壓晶體管可以進一步包括：第一介電層，覆蓋所述第一隔離層、所述柵區和所述螺旋阻性場板；源電極，耦接所述源區；漏電極，耦接所述漏區；以及柵電極，耦接所述柵區。

根據本實用新型的實施例的高壓晶體管可以進一步包括：厚介電層，覆蓋所述第一阱區的一部分，將所述漏區橫向地與所述柵區及所述源區隔離；其中，所述柵區的一部分延伸至所述厚介電層之上；并且所述阻性螺旋場板形成于所述厚介電層之上，而不再是形成于所述第一隔離層上。