[實(shí)用新型]一種根據(jù)負(fù)載情況自動調(diào)整功耗的結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220282236.5 | 申請日： | 2012-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN202713255U | 公開（公告）日： | 2013-01-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬輝;蔣賽尖;鄭可為 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫思泰迪半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/687 | 分類號： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 無錫盛陽專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顧吉云 |
| 地址： | 214028 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 根據(jù) 負(fù)載 情況 自動 調(diào)整 功耗 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種根據(jù)負(fù)載情況自動調(diào)整功耗的結(jié)構(gòu)，其包括電阻負(fù)載電路模塊，其特征在于：其還包括電阻負(fù)載檢測電路、輸出電流檢測電路、積分器，所述積分器包括比較器、電容，所述積分器的負(fù)輸入連接有直流電壓，所述電阻負(fù)載檢測電路包括電流源、NMOS開關(guān)，NMOS開關(guān)的兩端分別通過導(dǎo)線連接電阻負(fù)載電路模塊接入端、電流源輸出端，所述驅(qū)動電路由PMOS管和NMOS管串聯(lián)構(gòu)成，PMOS管的漏極分別通過導(dǎo)線連接NMOS管的漏極、電阻負(fù)載電路模塊接入端，電阻負(fù)載電路模塊接入端連接電阻R1后連接所述比較器的正輸入，輸出電流檢測電路包括PMOS管、連接電阻R3，所述驅(qū)動電路的PMOS管的柵極連接所述輸出電流檢測電路的PMOS管的柵極，所述輸出電流檢測電路的PMOS管的漏極連接所述連接電阻R3后接地，連接電阻R3的非接地端的通過導(dǎo)線連接反相器后連接NMOS開關(guān)的一端，NMOS開關(guān)的另一端連接電阻R2后連接所述比較器的正輸入，所述比較器的輸出端為負(fù)端輸出，所述比較器的輸出端分別連通所述電阻負(fù)載檢測電路的NMOS開關(guān)的控制端、輸出電流檢測電路所連接的NMOS開關(guān)的控制端，所述輸出電流檢測電路所連接的NMOS開關(guān)的控制端和比較器的輸出端之間設(shè)置有反相器，所述電容的兩端分別連接所述比較器的正輸入、比較器的輸出端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種根據(jù)負(fù)載情況自動調(diào)整功耗的結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電阻負(fù)載電路模塊至少含有一個電阻負(fù)載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于無錫思泰迪半導(dǎo)體有限公司，未經(jīng)無錫思泰迪半導(dǎo)體有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220282236.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
