[實用新型]倍頻晶體加熱裝置

有效

• 申請號: 201220249433.7
• 申請日: 2012-05-30
• 公開（公告）號: CN202602075U
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 陸高銀;楊智勇
• 申請（專利權）人: 上海奧通激光技術有限公司
• 主分類號: H01S3/042
• 分類號: H01S3/042
• 代理公司: 上海寶鼎專利代理有限公司 31222
• 代理人: 龔崢嶸

技術領域

本實用新型涉及一種激光裝置，尤其涉及一種倍頻晶體的加熱裝置。

背景技術

倍頻晶體在使用的過程中常常表面產生灰跡，灰跡會降低倍頻晶體的效率。現有倍頻晶體加熱的方式為半導體接觸式，由外到內熱傳導，一旦光從晶體中心通過，則只能通過周邊溫升傳導至中心地帶，而不能直接將半導體貼合在倍頻晶體的中心位置加熱，否則會影響光路傳遞。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種非接觸式、內外均勻加熱的倍頻晶體加熱裝置，光脈沖加熱時間和溫度可控從而提高倍頻晶體的效率。

本實用新型為解決上述技術問題采用的技術方案如下：

一種倍頻晶體加熱裝置，倍頻晶體固定在隔熱架上，在所述的隔熱架和倍頻晶體之間在倍頻晶體表面設置有溫度傳感器，所述的加熱裝置設置有脈沖光發生器和控制器，所述的控制器實時監測所述溫度傳感器探測的倍頻晶體的溫度、并且控制所述脈沖光發生器發生加熱脈沖光，所述的脈沖光發生器發射出的加熱脈沖光穿透所述的倍頻晶體。

上述加熱裝置的倍頻晶體加熱方法如下，所述的脈沖光發生器發射的脈沖光穿透所述的倍頻晶體、給倍頻晶體加熱，所述的溫度傳感器探測倍頻晶體的溫度，所述的控制器實時監測所述溫度傳感器探測的倍頻晶體的溫度，當倍頻晶體溫度高于設定值時所述控制器向所述脈沖光發生器發出停止脈沖光發生的指令，當倍頻晶體溫度低于設定值時所述控制器向所述脈沖光發生器發出脈沖光發生指令，對倍頻晶體進行加熱，保證倍頻晶體在設定的溫度下通過工作激光。

本實用新型的倍頻晶體加熱裝置及其方法，巧妙地通過脈沖光加熱的方式實現倍頻晶體非接觸式加熱，清潔無污染，內外加熱均勻、穩定，光脈沖加熱時間和溫度可控，不影響光的傳遞路線，從而有效地提高了倍頻晶體的效率。

附圖說明

為讓本實用新型的上述目的、特征和優點能更明顯易懂，以下結合附圖對本實用新型的具體實施方式作詳細說明，其中：

圖1是本實用新型的倍頻晶體加熱裝置的結構示意圖。

圖中：

1、隔熱架?????????????2、倍頻晶體?????????

3、溫度傳感器????????4、控制器

5、脈沖光發生器。

具體實施方式

圖1示出了一種倍頻晶體加熱裝置，倍頻晶體2固定在隔熱架1上，在所述的隔熱架1和倍頻晶體2之間在倍頻晶體2表面設置有溫度傳感器3，所述的加熱裝置設置有脈沖光發生器5和控制器4，所述的控制器4實時監測所述溫度傳感器3探測的倍頻晶體2的溫度、并且控制所述脈沖光發生器5發生加熱脈沖光，所述的脈沖光發生器5發射出的加熱脈沖光穿透所述的倍頻晶體2。

上述加熱裝置的倍頻晶體加熱方法如下：

所述的脈沖光發生器5發射的脈沖光穿透所述的倍頻晶體2、給倍頻晶體2加熱，所述的溫度傳感器3探測倍頻晶體2的溫度，所述的控制器4實時監測所述溫度傳感器3探測的倍頻晶體2的溫度，當倍頻晶體2溫度高于設定值時所述控制器4向所述脈沖光發生器5發出停止脈沖光發生的指令，當倍頻晶體2溫度低于設定值時所述控制器4向所述脈沖光發生器5發出脈沖光發生指令，對倍頻晶體2進行加熱，保證倍頻晶體2在設定的溫度下通過工作激光。