[實用新型]一種非晶硅薄膜電池芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220238538.2
• 申請日: 2012-05-25
• 公開（公告）號: CN202585435U
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄧文忠
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江慈能光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及太陽能電池領(lǐng)域，具體是一種非晶硅薄膜電池芯片。

背景技術(shù)

非晶硅太陽能電池芯片主要用于草坪燈、太陽能裝飾燈、室內(nèi)電子產(chǎn)品等充電使用，由于電池芯片的體積小，通常正負極引線都是使用電烙鐵焊錫方式，在電池芯片的正負極上直接焊接引線。

現(xiàn)在有技術(shù)通常在背電極上面通過絲網(wǎng)印刷導(dǎo)電銅、經(jīng)過高溫烘烤，使導(dǎo)電銅粘貼在正負電極兩端；但由于該種方式在焊接過程中或在使用過程中很容易脫落、粘接不牢靠，嚴(yán)重影響電池的電氣性能。

實用新型內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有的太陽能電池的背電極在使用過程中容易脫落、粘接不牢靠的問題，本實用新型提供了一種非晶硅薄膜電池芯片。

本實用新型采用的技術(shù)方案是：所述電池芯片包括玻璃基板、非晶硅薄膜層和背電極，所述玻璃基板上依次設(shè)有非晶硅薄膜層和背電極，所述背電極包括鋁層和銅鎳合金層。

優(yōu)選地，所述銅鎳合金層位于鋁層的上部，所述銅鎳合金層的上面覆蓋有保護膜。

優(yōu)選地，所述玻璃基板和非晶硅薄膜層之間設(shè)有透明導(dǎo)電膜。

優(yōu)選地，所述鋁層和銅鎳合金層上設(shè)有絕緣線。

本實用新型電池芯片的背電極包括鋁層和銅鎳合金層，大大降低了焊接的脫落率，并且焊接方便，牢靠，由于整個背電極都是由銅鎳膜組成，可以自由的變換焊接位置，大大減輕了焊點設(shè)計困難。而且該電池芯片的磁控濺射為真空度鍍膜工藝，整過鍍膜十分均勻，速度快提高了工作效率，制作流程方便，保質(zhì)期長，使太陽電池芯片更加穩(wěn)定。

附圖說明

圖1為本實用新型一種實施例的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型一種實施例的絕緣線結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實用新型一種實施例的保護膜結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實用新型一種實施例的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

在圖中，1玻璃基板、2透明導(dǎo)電膜、3非晶硅薄膜層、4背電極、5絕緣線、6保護膜、21一次光刻處、22二次光刻處、23三次光刻處、24橫向絕緣線、25正電極、26負電極、411鋁層、412銅鎳合金層。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本實用新型提供的具體實施方式作進一步詳細的描述：

如圖1-3所示，為本實用新型一種實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，該電池芯片包括玻璃基板1、非晶硅薄膜層3和背電極4，所述玻璃基板1上依次設(shè)有非晶硅薄膜層3和背電極4，所述背電極4包括鋁層411和銅鎳合金層412。本實用新型電池芯片的背電極包括鋁層和銅鎳合金層，大大降低了焊接的脫落率，并且焊接方便，牢靠，由于整過背電極都是由銅鎳膜組成，可以自由的變換焊接位置，大大減輕了焊點設(shè)計困難。而且該電池芯片的磁控濺射為真空度鍍膜工藝，整過鍍膜十分均勻，速度快提高了工作效率，制作流程方便，保質(zhì)期長，使太陽電池芯片更加穩(wěn)定。

再次參閱圖1，在玻璃基板1上鍍上透明導(dǎo)電膜2，在透明導(dǎo)電膜上刻劃小單元，形成一次光刻處21，將刻劃了非晶硅薄膜層的電池片在磁控濺射中沉積背電極；首先將磁控濺射設(shè)備抽真空至3×10^-3Pa；進入工藝自動方式，開啟直流射頻電源，頻率為13.56MHz、靶材功率為5-9KW；傳動速度為0.8^-1m/s；并通入氣體Ar，流量為200-300sccm；將非晶硅薄膜電池放入真空腔室，分別在非晶硅膜表面上沉積A1層411和Cu、Ni合金層412兩層，沉積厚度為1μm。

在經(jīng)過波長為532的綠激光在背電極膜上刻線，形成二次光刻處22，沿著非晶硅刻劃線溝道同一方向，并且與該方向平行，相距約0.1mm；使各節(jié)電池電氣斷開作用；再用波長為532的綠激光在背電極表面刻劃絕緣線5，形成三次光刻處23，該絕緣線包括多條橫向絕緣線24，如圖2，橫向絕緣線24的寬度為0.03-0.05mm。并要求跨線電阻大于2M?Ω；保證各電池芯片與外界隔離。

再將刻蝕好橫向絕緣線24的非晶硅薄膜電池在專用貼膜機上貼一層保護膜6，如圖3所示；要求貼膜機滾動頻率為30Hz，貼膜滾輪壓力為0.2-0.5MPa。

再將貼膜后的非晶硅薄膜電池在自動玻璃切割機上，根據(jù)設(shè)定后的規(guī)格尺寸進行切割；如圖4所示，最后用激光打標(biāo)機將非晶硅表面上的絕緣保護膜開出正負電極25、26；再經(jīng)過測試分選包裝入庫，得到100％性能的非晶硅薄膜太陽電池芯片。