[實用新型]一種非晶硅薄膜電池芯片有效
| 申請號： | 201220238538.2 | 申請日： | 2012-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN202585435U | 公開（公告）日： | 2012-12-05 |
| 發明（設計）人： | 鄧文忠 | 申請（專利權）人： | 浙江慈能光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 315336 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 非晶硅 薄膜 電池 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種非晶硅薄膜電池芯片，其特征在于，所述電池芯片包括玻璃基板、非晶硅薄膜層和背電極，所述玻璃基板上依次設有非晶硅薄膜層和背電極，所述背電極包括鋁層和銅鎳合金層。
2.根據權利要求1所述的電池芯片，其特征在于，所述銅鎳合金層位于鋁層的上部，所述銅鎳合金層的上面覆蓋有保護膜。
3.根據權利要求1或者2所述的電池芯片，其特征在于，所述玻璃基板和非晶硅薄膜層之間設有透明導電膜。
4.根據權利要求1或者2所述的電池芯片，其特征在于，所述鋁層和銅鎳合金層上設有絕緣線。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
