[實用新型]一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220236709.8 | 申請日: | 2012-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN202633005U | 公開(公告)日: | 2012-12-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 趙忠云;劉培欣;劉利艷;韓輝;周芳;余曉斌;李濤;劉政 | 申請(專利權)人: | 天津天能變壓器有限公司 |
| 主分類號: | H01F29/02 | 分類號: | H01F29/02;H01F27/40;H01F27/36;H02P13/06;H02M5/12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多晶 打壓 相干 流變 | ||
(一)技術領域:
本實用新型屬于變壓器技術領域,尤其是一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器。
(二)背景技術:
目前,現(xiàn)有的多晶硅打壓用干式單相變流變壓器多為非包封的單相普通干式變壓器,其存在的主要問題是:1、防潮、防塵能力差;2、變壓器外觀不美觀;3、變壓器輸出電壓檔位少,不能滿足多晶硅打壓使用的要求;4、輸入側可控硅導通時,對輸出電壓的波形影響較大。
(三)實用新型內(nèi)容:
本實用新型的目的在于設計一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器,它可以克服現(xiàn)有技術存在的不足,是一種結構簡單、運行可靠、性能高的多晶硅打壓用單相干式變流變壓器。
本實用新型的技術方案:一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器,其特征在于它是由鐵芯、不少于2個的低壓繞組輸入單元、靜電屏蔽層、不少于1個抽頭的低壓繞組以及不少于1個抽頭的高壓繞組構成;其中,所述每一個低壓繞組輸入單元由隔離開關、熔斷器和雙向可控硅開關相互串聯(lián)組成;所述不少于1個抽頭的低壓繞組的一端與1個低壓繞組輸入單元中的雙向可控硅開關一端連接,其抽頭分別與其它低壓繞組輸入單元中的雙向可控硅開關一端連接;所述低壓繞組的另一端連接變流變壓器輸出端子,且低壓繞組輸入單元中的隔離開關的輸入端連接變流變壓器輸入端子以采集電壓信號;所述高壓繞組的輸出端輸出電壓信號;所述靜電屏蔽層繞在低壓繞組外層,且一端接地。
所述一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器是由鐵芯、4個的低壓繞組輸入單元、靜電屏蔽層、帶3個抽頭的低壓繞組以及帶2個抽頭的高壓繞組構成;其中,所述每一個低壓繞組輸入單元由1個隔離開關、1個熔斷器和1組雙向可控硅開關相互串聯(lián)組成;所述低壓繞組的一端與1個低壓繞組輸入單元中的雙向可控硅開關一端連接,其3個抽頭分別與其它3個低壓繞組輸入單元中的雙向可控硅開關一端連接;所述低壓繞組的另一端連接變流變壓器輸出端子,且低壓繞組輸入單元中的隔離開關的輸入端連接變流變壓器輸入端子以采集電壓信號;所述高壓繞組的輸出端輸出電壓信號;所述靜電屏蔽層繞在低壓繞組外層,且一端接地。
所述低壓繞組和高壓繞組是采用環(huán)氧樹脂澆注形式的繞組。
所述靜電屏蔽層采用銅箔或者鋁箔。
所述靜電屏蔽層通過下夾件接地。
本實用新型的調壓方式:①低壓繞組設置n個抽頭共n+1檔,每一檔通過一組包括雙向可控硅、熔斷器和隔離開關的低壓繞組單元與電源連接,接受外部電源發(fā)出的電壓信號;②高壓繞組設置m個抽頭共m+1檔使高壓輸出電壓的檔位增加m-1倍;③粗調時,閉合一路隔離開關,并使本支路雙向可控硅導通,本檔低壓繞組接通電源,對應的高壓繞組有m+1種電壓輸出;此時,低壓側n+1擋輸出,高壓側有(n+1)*(m+1)擋輸出;④細調時,在滿足步驟③的基礎上,通過控制低壓繞組輸入單元每一支路的雙向可控硅的導通角,就可在粗調高壓側輸出電壓的基礎上,對每擋電壓進行調整,擴大了電壓的調整范圍。
本實用新型的工作原理:低壓繞組設置了n個抽頭共n+1檔,每一檔通過雙向可控硅控制,這樣可方便的通過調整低壓檔位來控制高壓的輸出電壓;高壓繞組設置了m個抽頭共m+1檔,這樣通過調整低壓檔位使高壓輸出電壓的檔位變成(n+1)*(m+1)擋輸出,更容易滿足多晶硅打壓過程的工藝要求;閉合隔離開關通過控制每一路雙向可控硅的通斷,可以很方便的控制高壓輸出電壓;通過控制低壓繞組輸入單元每一支路的雙向可控硅的導通角,可在(n+1)*(m+1)種輸出電壓的基礎上對每一種輸出電壓進行細調。
本實用新型的優(yōu)越性在于:1、高、低壓繞組通過采用環(huán)氧樹脂澆注的形式,使得防潮、防塵能力及抗突發(fā)短路增強;2、變壓器外觀美觀、緊湊;3、變壓器低壓繞組、高壓繞組均采用帶抽頭形式,通過調整低壓檔位使輸出電壓檔位增加一倍,可以滿足多晶硅打壓使用的要求;4、通過采用靜電屏蔽層,使高、低壓繞組互相隔離,形成兩個獨立系統(tǒng),以消除靜電耦合作用,減緩了低壓側可控硅導通(換擋)時對高壓側輸出電壓的影響,增強了設備運行的可靠性。
(四)附圖說明:
圖1為本實用新型所涉一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器的電路結構示意圖。
圖2是本實用新型所涉一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器的高壓側外形圖。
圖3是本實用新型所涉一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器的側面外形圖。
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