[實用新型]一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220236709.8 | 申請日： | 2012-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN202633005U | 公開（公告）日： | 2012-12-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙忠云;劉培欣;劉利艷;韓輝;周芳;余曉斌;李濤;劉政 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津天能變壓器有限公司 |
| 主分類號： | H01F29/02 | 分類號： | H01F29/02;H01F27/40;H01F27/36;H02P13/06;H02M5/12 |
| 代理公司： | 天津天麓律師事務(wù)所 12212 | 代理人： | 王里歌 |
| 地址： | 300402 天*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 多晶 打壓 相干 流變 | ||
1.一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器，其特征在于它是由鐵芯、不少于2個的低壓繞組輸入單元、靜電屏蔽層、不少于1個抽頭的低壓繞組以及不少于1個抽頭的高壓繞組構(gòu)成；其中，所述每一個低壓繞組輸入單元由隔離開關(guān)、熔斷器和雙向可控硅開關(guān)相互串聯(lián)組成；所述不少于1個抽頭的低壓繞組的一端與1個低壓繞組輸入單元中的雙向可控硅開關(guān)一端連接，其抽頭分別與其它低壓繞組輸入單元中的雙向可控硅開關(guān)一端連接；所述低壓繞組的另一端連接變流變壓器輸出端子，且低壓繞組輸入單元中的隔離開關(guān)的輸入端連接變流變壓器輸入端子以采集電壓信號；所述高壓繞組的輸出端輸出電壓信號；所述靜電屏蔽層繞在低壓繞組外層，且一端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器，其特征在于所述一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器是由鐵芯、4個的低壓繞組輸入單元、靜電屏蔽層、帶3個抽頭的低壓繞組以及帶2個抽頭的高壓繞組構(gòu)成；其中，所述每一個低壓繞組輸入單元由1個隔離開關(guān)、1個熔斷器和1組雙向可控硅開關(guān)相互串聯(lián)組成；所述低壓繞組的一端與1個低壓繞組輸入單元中的雙向可控硅開關(guān)一端連接，其3個抽頭分別與其它3個低壓繞組輸入單元中的雙向可控硅開關(guān)一端連接；所述低壓繞組的另一端連接變流變壓器輸出端子，且低壓繞組輸入單元中的隔離開關(guān)的輸入端連接變流變壓器輸入端子以采集電壓信號；所述高壓繞組的輸出端輸出電壓信號；所述靜電屏蔽層繞在低壓繞組外層，且一端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器，其特征在于所述低壓繞組和高壓繞組是采用環(huán)氧樹脂澆注形式的繞組。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器，其特征在于所述靜電屏蔽層采用銅箔或者鋁箔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器，其特征在于所述靜電屏蔽層通過下夾件接地。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于天津天能變壓器有限公司，未經(jīng)天津天能變壓器有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220236709.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種混凝土塊與橡膠瀝青之間粘結(jié)力的拉伸測試裝置
- 下一篇：護腳墊
