[實(shí)用新型]開(kāi)關(guān)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220213850.6
• 申請(qǐng)日: 2012-05-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202652168U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 詹姆斯·約瑟夫·莫拉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 快捷半導(dǎo)體（蘇州）有限公司;快捷半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): H03K17/16
• 分類號(hào): H03K17/16;H03K17/687
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11270
• 代理人: 武晨燕;張穎玲

1.一種開(kāi)關(guān)電路，其定義有導(dǎo)通狀態(tài)和斷開(kāi)狀態(tài)，所述開(kāi)關(guān)電路在處于所述導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)將第一節(jié)點(diǎn)連接到第二節(jié)點(diǎn)，所述電路包括：

MOSFET裝置，其包括：

柵極；

源極，其被連接到所述第一節(jié)點(diǎn)；以及

漏極，其被連接到所述第二節(jié)點(diǎn)；

其中，當(dāng)所述MOSFET裝置處于所述導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，信號(hào)能夠在所述源極與所述漏極之間傳送；以及

求和電路，其具有輸出端，所述輸出端連接到所述MOSFET裝置的所述柵極，所述求和電路被配置為在所述導(dǎo)通狀態(tài)期間維持所述MOSFET裝置的所述柵極與所述MOSFET裝置的所述源極之間具有實(shí)質(zhì)上恒定的控制電壓，所述求和電路包括：

電流源，其被連接到所述輸出端；

二極管網(wǎng)絡(luò)，其被連接到所述電流源，并被連接到所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)中的至少一個(gè)，所述二極管網(wǎng)絡(luò)被配置為在所述導(dǎo)通狀態(tài)期間從所述電流源接收電流；以及

控制開(kāi)關(guān)，其連接到所述輸出端，所述控制開(kāi)關(guān)被配置為在所述斷開(kāi)狀態(tài)期間轉(zhuǎn)移來(lái)自所述二極管網(wǎng)絡(luò)的所述電流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電路，包括：緩沖器，其被連接到所述二極管網(wǎng)絡(luò)，并被連接到所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)中的所述至少一個(gè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述控制開(kāi)關(guān)包括晶體管，所述晶體管被配置為在所述晶體管的柵極節(jié)點(diǎn)處接收控制信號(hào)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電路，包括：低壓監(jiān)控電路，其被配置為將所述控制開(kāi)關(guān)的節(jié)點(diǎn)連接到參考電壓，其中，所述參考電壓是以下兩者中的較低者：接地電壓、或所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)中的一個(gè)處的電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述低壓監(jiān)控電路包括連接到所述控制開(kāi)關(guān)的第一晶體管和第二晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述低壓監(jiān)控電路的所述第一晶體管和所述第二晶體管相互交叉連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的開(kāi)關(guān)電路，其中，所述第一晶體管連接到接地；并且

其中，所述第二晶體管連接到所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)中的一個(gè)。