[實用新型]單基島埋入型單圈多芯片倒裝無源器件封裝結構

有效

• 申請號: 201220204324.3
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN202564205U
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 王新潮;李維平;梁志忠
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/495
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種單基島埋入型單圈多芯片倒裝無源器件封裝結構，其特征在于它包括基島（1）、引腳（2）和芯片（3），所述芯片（3）有多個，所述多個芯片（3）倒裝于基島（1）正面和引腳（2）正面，所述多個芯片（3）底部與基島（1）和引腳（2）正面之間設置有底部填充膠（9），所述基島（1）外圍的區域、基島（1）和引腳（2）之間的區域、引腳（2）與引腳（2）之間的區域、基島（1）和引腳（2）上部的區域、基島（1）和引腳（2）下部的區域以及芯片（3）的外圍均包封有塑封料（4），所述引腳（2）背面的塑封料（4）上開設有小孔（5），所述小孔（5）與引腳（2）背面相連通，所述小孔（5）內設置有金屬球（7），所述金屬球（7）與引腳（2）背面相接觸,?所述引腳（2）與引腳（2）之間跨接有無源器件（8），所述無源器件（8）跨接于引腳（2）正面與引腳（2）正面之間或跨接于引腳（2）背面與引腳（2）背面之間。

2.根據權利要求1所述的一種單基島埋入型單圈多芯片倒裝無源器件封裝結構，其特征在于：在所述金屬球（7）與引腳（2）背面之間設置有金屬保護層（6）。

3.根據權利要求1或2所述的一種單基島埋入型單圈多芯片倒裝無源器件封裝結構，其特征在于：所述基島（1）包括基島上部、基島下部和中間阻擋層，所述基島上部和基島下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。

4.根據權利要求1或2所述的一種單基島埋入型單圈多芯片倒裝無源器件封裝結構，其特征在于：所述引腳（2）包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。