[實用新型]一種連續制備二維納米薄膜的化學氣相沉積設備

有效

• 申請號: 201220197015.8
• 申請日: 2012-05-03
• 公開（公告）號: CN202558935U
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 徐明生
• 申請（專利權）人: 徐明生
• 主分類號: C23C16/54
• 分類號: C23C16/54;C23C16/44
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 劉曉春

1.一種連續制備二維納米薄膜的化學氣相沉積設備，包括進料腔室(3)，薄膜制備腔室(4)，平衡腔室(5)，化學氣相沉積腔室(6)，其特征在于：

所述的進料腔室(3)、薄膜制備腔室(4)、平衡腔室(5)和化學氣相沉積腔室(6)均設有樣品傳送裝置；

所述的進料腔室(3)設有與大氣相通的閥門(30)，進料腔室(3)與薄膜制備腔室(4)之間設有閥門(31)，薄膜制備腔室(4)與平衡腔室(5)之間設有閥門(32)，平衡腔室(5)與化學氣相沉積腔室(6)之間設有閥門(33)，化學氣相沉積腔室(6)設有與大氣相通的閥門(34)；

所述的薄膜制備腔室(4)設有物理氣相沉積系統；

所述的化學氣相沉積腔室(6)設有加熱裝置(22)和氣體連接口；

所述的進料腔室(3)、薄膜制備腔室(4)、平衡腔室(5)、化學氣相沉積腔室(6)均設有抽真空裝置。

2.根據權利要求2所述的連續制備二維納米薄膜的化學氣相沉積設備，其特征在于所述的薄膜制備腔室(4)中的物理氣相沉積系統包括離子束沉積系統、濺射沉積系統、電子束沉積系統、熱蒸鍍沉積系統、激光沉積系統、離子注入系統中的任意一種或二種以上的組合。

3.根據權利要求1所述的連續制備二維納米薄膜的設備，所述的化學氣相沉積腔室(6)還設有等離子體增強化學氣相沉積系統、微波等離子體化學氣相沉積系統、氣溶膠輔助化學氣相沉積系統中的任意一種或二種以上的組合。

4.根據權利要求1所述的連續制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的進料腔室(3)、薄膜制備腔室(4)和平衡腔室(5)中的至少一個腔室設有氣體連接口。

5.根據權利要求1所述的連續制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的進料腔室(3)和薄膜制備腔室(4)中的至少一個腔室設有樣品處理裝置。

6.根據權利要求1所述的連續制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的進料腔室(3)、薄膜制備腔室(4)和化學氣相沉積腔室(6)中的至少一個腔室內設有隔熱屏蔽系統。

7.根據權利要求1所述的連續制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的進料腔室(3)、薄膜制備腔室(4)和化學氣相沉積腔室(6)中的至少一個腔室的腔壁設有冷卻系統。

8.根據權利要求1所述的連續制備二維納米薄膜的設備，其特征在于它還設有控制系統，所述的控制系統包括樣品傳送控制系統、氣路控制系統、真空控制系統、閥門控制系統或溫度控制系統中的任意一種或二種以上的組合。

9.根據權利要求1所述的連續制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的樣品傳送裝置包括滾輪、傳送帶和皮帶輪中的任意一種或二種以上的組合。

10.根據權利要求1所述的連續制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的二維納米薄膜包括石墨烯、過鍍金屬硫化物、硅烯、鍺烯或氮化硼。