[實用新型]發光元件

有效

• 申請號: 201220192751.4
• 申請日: 2012-04-28
• 公開（公告）號: CN202549914U
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: L.J.肖沃爾特;J.R.格蘭達斯基;崔永杰
• 申請（專利權）人: 晶體公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01S5/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種發光元件，具備：

第一接觸層，其由N型半導體形成；

器件層，其包含發光層，該發光層由層疊在上述第一接觸層上的半導體形成；

第二接觸層，其由層疊在上述器件層上的P型半導體形成；

第一電極部，其與上述第一接觸層連接；以及

第二電極部，其與上述第二接觸層連接，

其中，從上方觀察該發光元件時的上述第一電極部和上述第二電極部的合并區域為線對稱。

2.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，

第一電極部的整體面積小于第二電極部的整體面積。

3.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，

在從上方觀察該發光元件時，包含第一電極部與第二電極部相互交替地配置的區域。

4.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，

在從上方觀察該發光元件時，上述第二電極部被上述第一電極部包圍。

5.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，

還具備保護層，該保護層覆蓋發光元件的表面的至少一部分。

6.根據權利要求5所述的發光元件，其特征在于，

上述保護層在上述第一電極部和上述第二電極部的一部分區域具備開口部。

7.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，

上述器件層和上述第二接觸層層疊在上述第一接觸層上的一部分。

8.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，由半導體形成的發光層發出400nm以下波長的光。