[實用新型]內存快速檢測系統有效
| 申請號: | 201220183203.5 | 申請日: | 2012-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN202838309U | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發明(設計)人: | 沈澤斌;陶宗明;王一;劉欣;蔡燕;唐奇勝 | 申請(專利權)人: | 海太半導體(無錫)有限公司 |
| 主分類號: | G06F11/22 | 分類號: | G06F11/22 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 214000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 內存 快速 檢測 系統 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體器件,特別是涉及一種內存快速檢測系統。
背景技術
電腦啟動時會對內存SPD(SPD是SERIAL?PRESENCE?DETECT的縮寫,中文意思是模組存在的串行檢測,也即是通過IIC串行接口的EEPROM(Electrically?Erasable?Programmable?Read-Only?Memory,電可擦可編程只讀存儲器)對內存插槽中的模組存在的信息檢查)進行數據讀取,如果SPD內部信息錯誤或者信息丟失,則電腦將無法啟動。市場上對SPD信息的讀取需要更換內存重新開啟電腦來查看SPD信息,SPD信息是以ASCII碼(American?Standard?Code?for?Information?Interchange,美國信息互換標準代碼)儲存,在讀取信息后需要轉換成我們能夠正常理解的英文及數字信息,操作繁瑣且效率低下。
實用新型內容
(一)要解決的技術問題
本實用新型要解決的技術問題是如何實現在不重啟電腦的情況下讀取內存SPD信息,并能直接正常理解。
(二)技術方案
為了解決上述技術問題,本實用新型提供一種內存快速檢測系統,其包括:信息讀取和燒錄模塊,其連接被測內存,用于讀取被測內存的SPD信息;代碼顯示及轉換模塊,與所述信息讀取和燒錄模塊相連,用于顯示所述信息讀取和燒錄模塊所讀取的代碼信息,并轉換成字母及數字信息。
其中,所述信息讀取和燒錄模塊上設置有內存插座,被測內存插入在所述內存插座上。
其中,所述內存插座具有至少兩個。
其中,所述內存插座包括無緩沖雙通道內存插座和小型雙列直插式內存插座。
其中,所述信息讀取和燒錄模塊上設置有電源鍵。
(三)有益效果
上述技術方案所提供的內存快速檢測系統,無需重新啟動電腦就能夠快速讀取內存SPD內信息,且能夠將其轉換為英文及數字信息,方便確認SPD信息準確性;并且該系統還能夠對SPD內部信息進行重新燒錄,方便用戶根據需要修改SPD信息。
附圖說明
圖1是本實用新型實施例的內存快速檢測系統的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例,對本實用新型的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型,但不用來限制本實用新型的范圍。
圖1示出了本實施例的內存快速檢測系統的結構示意圖,參照圖示,其包括:信息讀取和燒錄模塊,其連接被測內存,用于讀取被測內存的SPD信息;代碼顯示及轉換模塊,與所述信息讀取和燒錄模塊相連,用于顯示所述信息讀取和燒錄模塊所讀取的代碼信息,并轉換成字母及數字信息。為了便于穩定連接被測內存,所述信息讀取和燒錄模塊上設置有內存插座,被測內存插入在所述內存插座上。所述內存插座具有至少兩個,至少包括無緩沖雙通道內存(Unbuffered?Dual?In-Line?Memory?Modules,UDIMM)插座和小型雙列直插式內存(Small?Outline?Dual?In-line?Memory?Module,SODIMM)插座。
UDIMM插座和SODIMM插座上分別設置有自動插拔件,能夠實現內存的自動插拔。代碼顯示及轉換模塊采用顯示屏和設置在顯示屏內的代碼轉換模塊,將信息讀取和燒錄模塊所讀取的代碼信息進行轉換,轉換為技術人員能夠識別的英文及數字信息,并予以顯示。也可同時將源代碼信息和轉換后的英文及數字信息對照顯示。
所述信息讀取和燒錄模塊上還設置有電源鍵,與供電電源相連,控制整個檢測系統的啟動或關閉。
由以上實施例可以看出,本實用新型實施例無需重新啟動電腦就能夠快速讀取內存SPD內信息,且能夠將其轉換為英文及數字信息,方便確認SPD信息準確性;并且該系統還能夠對SPD內部信息進行重新燒錄,方便用戶根據需要修改SPD信息。
以上所述僅是本實用新型的優選實施方式,應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本實用新型技術原理的前提下,還可以做出若干改進和替換,這些改進和替換也應視為本實用新型的保護范圍。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于海太半導體(無錫)有限公司,未經海太半導體(無錫)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220183203.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





