[實用新型]多芯片封裝結(jié)構(gòu)、變換器模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220155194.9
• 申請日: 2012-04-13
• 公開（公告）號: CN202816942U
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔣航
• 申請（專利權(quán)）人: 成都芯源系統(tǒng)有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/31;H01L23/495
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• 代理人: 暫無信息

1.一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：

第一倒裝芯片；

第二倒裝芯片；

第三倒裝芯片；以及

引線框架，引線框架具有上表面和下表面，引線框架包括多個引腳；其中

第一倒裝芯片通過焊料凸塊耦接到引線框架的下表面，第二倒裝芯片通過焊料凸塊耦接到第一倒裝芯片，第三倒裝芯片通過焊料凸塊耦接到引線框架的上表面。

2.如權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一倒裝芯片包括金屬層，第二倒裝芯片通過第一倒裝芯片的金屬層電氣連接到引線框架。

3.如權(quán)利要求2所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，第二倒裝芯片通過第一倒裝芯片的金屬層電氣連接到第三倒裝芯片。

4.如權(quán)利要求2所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，引線框架包括第一引腳，第二引腳，第三引腳以及第四引腳，其中：

第一倒裝芯片包括第一端子，第二端子，以及控制端子，其中第一端子通過焊料凸塊電耦接至引線框架的第一引腳，第二端子通過焊料凸塊電耦接至引線框架的第二引腳；

第三倒裝芯片包括第一端子，第二端子，以及控制端子，其中第一端子通過焊料凸塊電耦接至引線框架的第一引腳，第二端子通過焊料凸塊電耦接至引線框架的第三引腳；以及

第二倒裝芯片包括第一輸出端子和第二輸出端子，其中第一輸出端子通過焊料凸塊電耦接至第一倒裝芯片的控制端子，第二輸出端子依次通過第一倒裝芯片和第二倒裝芯片之間的焊料凸塊、第一倒裝芯片的金屬層、第一倒裝芯片和引線框架的第四引腳之間的焊料凸塊、以及引線框架的第四引腳和第三倒裝芯片之間的焊料凸塊電耦接至第三倒裝芯片的控制端子。

5.如權(quán)利要求4所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，引線框架還包括第五引腳，第二倒裝芯片進一步包括輸入端子，其中第二倒?裝芯片的輸入端子依次通過第一倒裝芯片和第二倒裝芯片之間的焊料凸塊、第一倒裝芯片的金屬層、第一倒裝芯片和引線框架第五引腳之間的焊料凸塊電耦接至引線框架的第五引腳。

6.如權(quán)利要求4所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，多芯片封裝結(jié)構(gòu)電耦接至電感器，其中電感器的一端電耦接至引線框架的第一引腳，電感器的另一端電耦接至電容器。

7.如權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，引線框架包括用來放置第二倒裝芯片的中空區(qū)域。

8.如權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一倒裝芯片包括多個電耦接至焊料凸塊的接觸焊盤，第二倒裝芯片包括多個電耦接至焊料凸塊的接觸焊盤，第三倒裝芯片包括多個電耦接至焊料凸塊的接觸焊盤。

9.如權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，焊料凸塊為柱狀焊料凸塊。

10.如權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，多芯片封裝結(jié)構(gòu)進一步包括：

塑型材料，包覆第一倒裝芯片，第二倒裝芯片，第三倒裝芯片以及引線框架。

11.如權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，多芯片封裝結(jié)構(gòu)包括球柵陣列式封裝。

12.一種變換器模塊，包括：

第一開關(guān)芯片，包括第一開關(guān)器件；

第二開關(guān)芯片，包括第二開關(guān)器件；

用來控制第一開關(guān)器件和第二開關(guān)器件的控制芯片；以及

具有上表面和下表面引線框架，包括多個引腳；其中

第一開關(guān)芯片通過第一組焊料凸塊耦接至引線框架的下表面，控制芯片通過第二組焊料凸塊耦接至第一開關(guān)芯片，第二開關(guān)芯片通過第三組焊料凸塊耦接至引線框架的上表面。

13.如權(quán)利要求12所述的變換器模塊，其特征在于，第一開關(guān)器件包括降壓變換器的下側(cè)開關(guān)管，第二開關(guān)器件包括降壓變換器的?上側(cè)開關(guān)管。

14.如權(quán)利要求12所述的變換器模塊，其特征在于，第一開關(guān)芯片包括電耦接在第一組焊料凸塊和第二組焊料凸塊之間的金屬層。