[實(shí)用新型]二極管芯體的酸洗盤有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220153193.0 | 申請(qǐng)日: | 2012-04-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN202513128U | 公開(公告)日: | 2012-10-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 湯云;王毅;顏廷柱 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/329 | 分類號(hào): | H01L21/329;B08B3/08 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
| 地址: | 225008 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 二極 管芯 酸洗 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及對(duì)二極管芯體專用酸洗盤結(jié)構(gòu)的改進(jìn)。
背景技術(shù)
二極管芯體在進(jìn)行塑封前,必須進(jìn)行酸洗工序。酸洗時(shí),將焊接為一體的上引線、芯片和下引線,插設(shè)在酸洗盤上;然后進(jìn)行酸洗;最后,用清水沖洗。
目前,本申請(qǐng)人的酸洗盤結(jié)構(gòu)如圖4、5所示,包括盤體1、盤腳3,在盤體1上開設(shè)若干插孔2,二極管芯體5的下引線插設(shè)在插孔2中。酸洗過程如圖7所示,若干酸洗盤頭尾(此處的“頭尾”等于:本案中單獨(dú)顯示酸洗盤時(shí)的左、右方向)相接。在行進(jìn)過程中,有一個(gè)清水沖洗工位6,對(duì)該工位下的酸洗盤進(jìn)行沖洗。由于盤體1的盤面左、右側(cè)(即行進(jìn)時(shí)的“頭尾”)為平面結(jié)構(gòu),水不能及時(shí)引流,導(dǎo)致該被清水沖洗的酸洗盤上的水,會(huì)溢流到相鄰的酸洗盤上,影響相鄰酸洗盤的處理效果;導(dǎo)致加酸后的材料收到污染。此外,現(xiàn)有酸洗盤的厚度較薄,下引線只有接近下引線釘頭的較短部分處于插孔2中,而進(jìn)行塑封時(shí),封裝邊界線往往大于插孔2的深度,使得處于封裝體內(nèi)部的下引線上部較粗、下部較細(xì),容易產(chǎn)生包膠現(xiàn)象,影響產(chǎn)品的品質(zhì)。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型針對(duì)以上問題,提供了一種能防止沖洗時(shí)的交叉污染,且避免引線包膠的二極管芯體的酸洗盤。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:所述二極管芯體包括上、下引線,及焊接在所述上、下引線之間的芯片;所述酸洗盤包括盤體和盤腳,所述盤體的盤面上開設(shè)有若干用于插放所述下引線的插孔,在所述盤面的左右兩側(cè)邊緣處分別開設(shè)有敞口槽。
所述盤腳截面在所述盤面的左右方向的最大尺寸大于所述敞口槽的寬度。
所述盤體上開設(shè)所述插孔部分的底面低于所述下引線的封裝邊界。
本實(shí)用新型在盤體頂面(盤面)的左右側(cè)分別開設(shè)敞口槽后,沖洗時(shí),本盤上的水流通過該兩敞口槽引流,不會(huì)溢流到相鄰的酸洗盤上。盤腳截面在所述盤面的左右方向的最大尺寸大于所述敞口槽的寬度;使得酸洗盤在碼放時(shí),盤腳不會(huì)“陷入”到敞口槽中。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)“加厚”了盤體的厚度以后(盤體上開設(shè)所述插孔部分的底面低于所述下引線的封裝邊界),插孔內(nèi)的引線直徑均勻,避免出現(xiàn)包膠現(xiàn)象。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖,
圖2是圖1的俯視圖,
圖3是圖1中M處局部放大圖,
圖4是本實(shí)用新型背景技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖,
圖5是圖4中N處局部放大圖,
圖6是本實(shí)用新型在堆碼時(shí)的狀態(tài)參考圖,
圖7是本實(shí)用新型的使用狀態(tài)參考圖;
圖中1是盤體,11是加厚部分,2是插孔,3是盤腳,4是敞口槽,5是二極管芯體,51是下引線的封裝邊界,6是清水沖洗工位。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型如圖1-3所示,所述二極管芯體5包括上、下引線,及焊接在所述上、下引線之間的芯片;所述酸洗盤包括盤體1和盤腳3,所述盤體1的盤面上開設(shè)有若干用于插放所述下引線的插孔2,在所述盤面的左右兩側(cè)邊緣處分別開設(shè)有敞口槽4。
所述盤腳3截面在所述盤面的左右方向的最大尺寸大于所述敞口槽4的寬度。這樣在堆碼時(shí),盤腳3不會(huì)陷入到敞口槽4中,如圖6所示。
所述盤體1上開設(shè)所述插孔2部分的底面低于所述下引線的封裝邊界51。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的酸洗盤,相當(dāng)于將原盤體1開設(shè)插孔2的部分進(jìn)行加厚,形成加厚部分11。
本實(shí)用新型可以將酸洗過程中多余的水引流,避免材料在酸洗過程受污染(另:給電鍍工段節(jié)約稀硫酸的成本);且引線不包膠。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





