[實用新型]一種內存電壓控制電路

有效

• 申請號: 201220146032.9
• 申請日: 2012-04-06
• 公開（公告）號: CN202661948U
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 盧松敏
• 申請（專利權）人: 深圳市微正電子科技開發有限公司
• 主分類號: G06F1/26
• 分類號: G06F1/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種內存電壓控制電路。

背景技術

MOS管，即：金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor，MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect?transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS?FET、PMOS?FET、nMOSFET、pMOSFET等。

脈沖寬度調制(PWM)，是英文“Pulse?Width?Modulation”的縮寫，簡稱脈寬調制，是利用微處理器的數字輸出來對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術，廣泛應用在從測量、通信到功率控制與變換的許多領域中。

內存是計算機中重要的部件之一，它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內存中進行的，因此內存的性能對計算機的影響非常大。內存(Memory)也被稱為內存儲器，其作用是用于暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬盤等外部存儲器交換的數據。只要計算機在運行中，CPU就會把需要運算的數據調到內存中進行運算，當運算完成后CPU再將結果傳送出來，內存的運行也決定了計算機的穩定運行，如何實現內存成本更低，性價比更高的運行，人們一直在尋找更經濟的電路。

實用新型內容

為了解決以上的問題，本實用新型提供一種內存電壓控制電路。

本實用新型公開了一種內存電壓控制電路，包括與內存相連的開關電路，與所述開關電路相連的限流電路，所述的限流電路包括兩個串接在一起的組合MOS管，所述的組合MOS管柵極外接所述的開關電路，源極串接后輸出所述內存需要的電壓。

在本實用新型所述的內存電壓控制電路中，所述的開關電路為PWM橋式開關電路。

在本實用新型所述的內存電壓控制電路中，所述的開關電路與所述的組合MOS管柵極間具有限流電阻。

在本實用新型所述的內存電壓控制電路中，所述的限流電路電路還包括濾波電路，與所述的源極相連接。

實施本實用新型的內存電壓控制電路，具有以下有益的技術效果：

電路更簡約，成本更低。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例一種內存電壓控制電路模塊方框圖。

圖2為圖1中限流電路的電路圖。

具體實施方式

為詳細說明本實用新型的技術內容、構造特征、所實現目的及效果，以下結合實施方式并配合附圖詳予說明。

目前市面上顯卡上memory電壓主要通過開關PWM?IC配合High/Lower?Side?MOS(俗稱上橋/下橋)來實現，由于目前的H/L?side單獨的MOS來配合的話，可以承受50安培的電流，但是目前普通的顯卡的memory需求的電流不會超過20安培，顯得有些浪費和奢侈。

請參閱圖1，一種內存電壓控制電路，包括：內存10、開關電路20、限流電路30。

內存10、開關電路20、限流電路30依次相連。

限流電路30的具體電路，請參閱圖2，限流電路30包括兩個串接在一起的組合MOS管，組合MOS管柵極3及柵極8外接所述的開關電路，源極串接后輸出所述內存需要的電壓。

本實用新型中，開關電路為PWM橋式開關電路。

開關電路與組合MOS管柵極3及柵極8間具有限流電阻R1及電阻R2。

限流電路電路還包括濾波電路，與組合MOS管源極相連接，濾波電路由電感L1、電阻R3以及電容C1、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5組成。

實施本實用新型的內存電壓控制電路，具有以下有益的技術效果：

電路更簡約，成本更低。

上面結合附圖對本實用新型的實施例進行了描述，但是本實用新型并不局限于上述的具體實施方式，上述的具體實施方式僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領域的普通技術人員在本實用新型的啟示下，在不脫離本實用新型宗旨和權利要求所保護的范圍情況下，還可做出很多形式，這些均屬于本實用新型的保護范圍之列。