[實(shí)用新型]雙極性半導(dǎo)體芯片的測(cè)試工裝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220106075.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-03-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN202534638U | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-11-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王汛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 常州銀河電器有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 常州市天龍專利事務(wù)所有限公司 32105 | 代理人: | 夏海初 |
| 地址: | 213022 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 極性 半導(dǎo)體 芯片 測(cè)試 工裝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種測(cè)試工裝,具體地說(shuō)涉及一種雙極性半導(dǎo)體芯片的測(cè)試工裝。?
背景技術(shù)
目前半導(dǎo)體分立器件芯片主要是進(jìn)行單極性測(cè)試,即測(cè)試芯片的單極導(dǎo)電性;而半導(dǎo)體芯片的雙極性測(cè)試,則需要在芯片封裝完成后才能進(jìn)行,不能對(duì)芯片預(yù)先進(jìn)行篩選;封裝后的芯片在測(cè)試其雙極性時(shí),合格率低,使得不合格產(chǎn)品直接報(bào)廢,且不能回收使用,大大增加了生產(chǎn)成本。?
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種不僅能夠?qū)Π雽?dǎo)體芯片進(jìn)行雙極性測(cè)試,而且能夠在半導(dǎo)體芯片封裝前預(yù)先篩選合格品的雙極性半導(dǎo)體芯片的測(cè)試工裝。?
實(shí)現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案是:一種雙極性半導(dǎo)體芯片的測(cè)試工裝,包括工作板和導(dǎo)電板;所述工作板與導(dǎo)電板固定連接,所述工作板的工作面具有若干沉孔,沉孔的上表面設(shè)有芯片接觸導(dǎo)電面,工作板的剩余上表面設(shè)有絕緣層,工作板的下表面設(shè)有導(dǎo)電面。?
在上述技術(shù)方案中,所述沉孔的個(gè)數(shù)為9~1500個(gè)。?
在上述技術(shù)方案中,若干沉孔均勻布置在工作板上,且呈矩陣式排布。?
在上述技術(shù)方案中,所述導(dǎo)電板為紫銅導(dǎo)電板,且導(dǎo)電板外表面設(shè)有鍍銀層。?
在上述技術(shù)方案中,所述工作板的相對(duì)其工作面的反面設(shè)有與若干個(gè)沉孔相貫通的空腔,所述空腔的側(cè)壁設(shè)有可與抽真空設(shè)備管路連接的螺孔;導(dǎo)電板與工作板密封連接。?
本實(shí)用新型所具有的有益效果在于:采取本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)后,將半導(dǎo)體芯片放入沉孔內(nèi),且半導(dǎo)體芯片的下表面與沉孔的芯片接觸導(dǎo)電面接觸,測(cè)試儀的測(cè)試探針與半導(dǎo)體芯片的上表面接觸,導(dǎo)電板通過(guò)測(cè)試導(dǎo)線與測(cè)試儀連接,即可對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行雙極性測(cè)試,特別對(duì)耐壓為1600v以下的雙極性半導(dǎo)體芯片測(cè)試的準(zhǔn)確率極高,且誤判率低;由于使用了本實(shí)用新型對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行雙極性測(cè)試,因此,能夠在半導(dǎo)體芯片封裝前進(jìn)行,可以對(duì)所需要封裝的半導(dǎo)體芯片預(yù)先進(jìn)行篩選。?
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型第一種具體實(shí)施方式的主視圖;?
圖2為圖1中沿A-A方向的剖視圖;
圖3為圖?1中沿?B-?B方向的剖視圖;
圖4為本實(shí)用新型第二種具體實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖,對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述,但并不局限于此。?
具體實(shí)施方式之一?
如圖1、2、3所示,一種雙極性半導(dǎo)體芯片的測(cè)試工裝,包括工作板1和導(dǎo)電板2;所述工作板1與導(dǎo)電板2呈凹凸副嵌合通過(guò)螺釘固定連接,所述工作板1的工作面1-1具有若干沉孔1-1-1,沉孔1-1-1的上表面設(shè)有芯片接觸導(dǎo)電面1-1-2,工作板1的剩余上表面設(shè)有絕緣層1-1-3,工作板1的下表面設(shè)有導(dǎo)電面1-1-4。
本實(shí)用新型的所述沉孔1-1-1的個(gè)數(shù)為9~1500個(gè)。?
如圖1所示,為了使得本實(shí)用性結(jié)構(gòu)合理,若干沉孔1-1-1均勻布置在工作板1上,且呈矩陣式排布。?
為增強(qiáng)導(dǎo)電板2的導(dǎo)電性,防止導(dǎo)電板2在常溫下氧化,本實(shí)用新型積極主張工作板1與導(dǎo)電板2分別制作后由螺釘固定連接,且所述導(dǎo)電板2為紫銅導(dǎo)電板,在導(dǎo)電板2外表面設(shè)有鍍銀層2-1;而工作板1是AL-6061T651的鋁合金制件,工作板1的絕緣層1-1-3是通過(guò)低溫硬質(zhì)陽(yáng)極氧化處理層,或者是聚四氟乙烯涂層。?
本實(shí)用新型初樣,在測(cè)試雙極性半導(dǎo)體芯片中的效果,是十分令人滿意的。?
具體實(shí)施方式之二?
如圖1、2、3、4所示,一種雙極性半導(dǎo)體芯片的測(cè)試工裝,除了所述工作板1的相對(duì)其工作面1-1的反面設(shè)有與若干個(gè)沉孔1-1-1相貫通的空腔3,所述空腔3的側(cè)壁設(shè)有可與抽真空設(shè)備管路連接的螺孔1-2;導(dǎo)電板2與工作板1密封連接之外,其它均如同具體實(shí)施方式之一。通過(guò)真空管接頭與螺孔1-2配接,可對(duì)空腔3進(jìn)行抽真空,使得本實(shí)用新型使用時(shí),可以吸住被測(cè)雙極性半導(dǎo)體芯片,以便翻轉(zhuǎn)本實(shí)用新型進(jìn)行測(cè)試。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于常州銀河電器有限公司,未經(jīng)常州銀河電器有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220106075.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種側(cè)出水閥芯
- 下一篇:組合墊圈
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 軟件測(cè)試系統(tǒng)及測(cè)試方法
- 自動(dòng)化測(cè)試方法和裝置
- 一種應(yīng)用于視頻點(diǎn)播系統(tǒng)的測(cè)試裝置及測(cè)試方法
- Android設(shè)備的測(cè)試方法及系統(tǒng)
- 一種工廠測(cè)試方法、系統(tǒng)、測(cè)試終端及被測(cè)試終端
- 一種軟件測(cè)試的方法、裝置及電子設(shè)備
- 測(cè)試方法、測(cè)試裝置、測(cè)試設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
- 測(cè)試裝置及測(cè)試系統(tǒng)
- 測(cè)試方法及測(cè)試系統(tǒng)
- 一種數(shù)控切削指令運(yùn)行軟件測(cè)試系統(tǒng)及方法





