[實(shí)用新型]2100納米帶通紅外濾光片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220091300.1 | 申請(qǐng)日: | 2012-03-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN202472023U | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 呂晶 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 杭州麥樂(lè)克電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02B5/20 | 分類號(hào): | G02B5/20;B32B9/04;B32B15/00 |
| 代理公司: | 杭州金源通匯專利事務(wù)所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州市西*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 2100 納米 通紅 濾光 | ||
1.一種2100納米帶通紅外濾光片,包括以Bk7玻璃為原材料的基板(1)、以Si和SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層(2)和以Si和SiO為鍍膜材料的第二鍍膜層(3),所述基板(1)位于第一鍍膜層(2)和第二鍍膜層(3)之間,其特征是第一鍍膜層(2)包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為78nm的Si層、厚度為123nm的SiO層、厚度為123nm的Si層、厚度為151nm的SiO層、厚度為167nm的Si層、厚度為119nm的SiO層、厚度為68nm的Si層、厚度為222nm的SiO層、厚度為93nm的Si層、厚度為128nm的SiO層、厚度為78nm的Si層、厚度為210nm的SiO層、厚度為79nm的Si層、厚度為92nm的SiO層、厚度為76nm的Si層、厚度為161nm的SiO層、厚度為68nm的Si層、厚度為148nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為206nm的SiO層、厚度為82nm的Si層、厚度為129nm的SiO層、厚度為165nm的Si層、厚度為180nm的SiO層、厚度為158nm的Si層、厚度為128nm的SiO層、厚度為70nm的Si層、厚度為305nm的SiO層、厚度為106nm的Si層、厚度為282nm的SiO層、厚度為289nm的Si層、厚度為350nm的SiO層、厚度為185nm的Si層、厚度為287nm的SiO層以及厚度為287nm的Si層;第二鍍膜層(3)包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為143nm的Si層、厚度為285nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為571nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為285nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為285nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為285nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為1142nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為305nm的SiO層、厚度為158nm的Si層以及厚度為158nm的SiO層。
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