[實用新型]像素單元驅動電路、像素單元以及顯示裝置有效
| 申請號: | 201220067465.5 | 申請日: | 2012-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN202454223U | 公開(公告)日: | 2012-09-26 |
| 發明(設計)人: | 青海剛;祁小敬;高永益 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/32 | 分類號: | G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;趙愛軍 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 單元 驅動 電路 以及 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及有機發光顯示領域,尤其涉及一種像素單元驅動電路、像素單元以及顯示裝置。
背景技術
AMOLED(Active?Matrix?Organic?Light?Emitting?Diode,有源矩陣有機發光二極體)能夠發光是由驅動TFT在飽和狀態時產生的電流所驅動,因為輸入相同的灰階電壓時,不同的臨界電壓會產生不同的驅動電流,造成電流的不一致性。LTPS(低溫多晶硅)制程上Vth(晶體管閾值電壓)的均勻性非常差,同時Vth也有漂移,如此傳統的2T1C電路亮度均勻性一直很差。
傳統的采用2T1C電路的像素驅動電路如圖1所示,電路只含有兩個TFT,T1用作開關,DTFT用于像素驅動。傳統的2T1C電路操作也比較簡單,對該采用2T1C電路的像素驅動電路的控制時序圖如圖2所示,當掃描電平為低時,T1打開,data線上的灰階電壓對電容C充電,當掃描電平為高時,T1關閉,電容C用來保存灰階電壓。由于VDD(電源電壓)電壓較高,因此DTFT處于飽和狀態,OLED的驅動電流I=K(Vsg-|Vth|)2=K(VDD-Vdata-|Vth|)2,Vdata為數據信號,K是一個與晶體管尺寸和載流子遷移率有關的常數,一旦TFT尺寸和工藝確定,K確定。該2T1C電路的驅動電流公式中包含了Vth,如前所述,由于LTPS工藝的不成熟,即便是同樣的工藝參數,制作出來的面板不同位置的TFT的Vth也有較大差異,導致了同一灰階電壓下OLED的驅動電流不一樣,因此該驅動方案下的面板不同位置亮度會有差異,亮度均一性差。同時隨著OLED面板使用的延長,OLED材料逐漸老化,導致OLED發光的臨界電壓上升,同樣的電流下,OLED材料發光效率下降,面板亮度降低。
實用新型內容
本實用新型的主要目的在于提供一種像素單元驅動電路、像素單元以及顯示裝置,以提高OLED面板亮度均勻度。
為了達到上述目的,本實用新型提供了一種像素單元驅動電路,用于驅動OLED,所述像素單元驅動電路包括驅動薄膜晶體管、存儲電容、驅動控制單元和充電控制單元,其中,
所述驅動薄膜晶體管的柵極,通過所述驅動控制單元與所述存儲電容的第一端連接,還通過所述充電控制單元與數據線連接;
所述驅動薄膜晶體管的源極,與所述存儲電容的第二端連接,并通過所述驅動控制單元與驅動電源的低電平輸出端連接;
所述驅動薄膜晶體管的漏極,通過所述充電控制單元與驅動電源的高電平輸出端連接;
所述存儲電容的第一端還通過所述充電控制單元與所述驅動電源的高電平輸出端連接。
實施時,所述驅動薄膜晶體管的源極,與所述存儲電容的第二端連接,還通過所述驅動控制單元與驅動電源的低電平輸出端連接;
所述驅動薄膜晶體管的漏極,與所述OLED的陰極連接,還通過所述充電控制單元與所述驅動電源的高電平輸出端連接;
所述存儲電容的第一端還通過所述充電控制單元與所述驅動電源的高電平輸出端連接;
所述OLED的陽極與所述驅動電源的高電平輸出端連接。
實施時,所述驅動控制單元包括第一開關和第二開關,所述充電控制單元包括第三開關、第四開關和第五開關;
所述驅動薄膜晶體管的源極通過所述第一開關與所述驅動電源的低電平輸出端連接;
所述驅動薄膜晶體管的柵極通過所述第二開關與所述存儲電容的第一端連接;
所述驅動薄膜晶體管的柵極還通過所述第三開關與所述數據線連接;
所述驅動薄膜晶體管的漏極通過所述第四開關與所述驅動電源的高電平輸出端連接;
所述存儲電容的第一端通過所述第五開關與所述驅動電源的高電平輸出端連接。
實施時,所述第一開關是第一開關元件,所述第二開關是第二開關元件,所述第三開關是第三開關元件,所述第四開關是第四開關元件,所述第五開關的第五開關元件;
所述驅動薄膜晶體管、所述第一開關元件、第二開關元件、所述第三開關元件、所述第四開關元件和所述第五開關元件都是n型TFT;
所述第一開關元件,柵極與第一控制線連接,源極與所述驅動電源的低電平輸出端連接,漏極與所述驅動薄膜晶體管的源極連接;
所述第二開關元件,柵極與所述第一控制線連接,源極與所述驅動薄膜晶體管的柵極連接,漏極與所述存儲電容的第一端連接;
所述第三開關元件,柵極與第二控制線連接,源極與所述驅動薄膜晶體管的柵極連接,漏極與所述數據線連接;
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