[實用新型]一種CMOS圖像傳感器的感光通道有效

申請號：	201220064135.0	申請日：	2012-02-23
公開（公告）號：	CN202712190U	公開（公告）日：	2013-01-30
發明（設計）人：	陳多金;趙文霖;曠章曲	申請（專利權）人：	北京思比科微電子技術股份有限公司
主分類號：	H01L27/146	分類號：	H01L27/146
代理公司：	北京凱特來知識產權代理有限公司 11260	代理人：	鄭立明;趙鎮勇
地址：	100085 北京市海***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種 cmos 圖像傳感器感光通道
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【權利要求書】：

1.一種CMOS圖像傳感器的感光通道，包括第一高折射率材料和第二高折射率材料，其特征在于，所述第一高折射率材料和第二高折射率材料依次設置在所述CMOS圖像傳感器的光電二極管與彩色濾光片陣列之間。

2.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的感光通道，其特征在于，所述第一高折射率材料的形狀為上寬下窄的倒梯形，所述第一高折射率材料的上部寬度不大于所述第一高折射率材料位于的像素的微透鏡和彩色濾光片的寬度，所述第一高折射率材料的下部寬度不大于所述第一高折射率材料位于的像素的光電二極管透光部分的寬度。

3.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的感光通道，其特征在于，所述第一高折射率材料的折射率高于所述CMOS圖像傳感器的介質層的折射率。

4.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的感光通道，其特征在于，所述感光通道的上部與所述CMOS圖像傳感器的平坦層連接，所述平坦層材料與所述感光通道的填充材料相同，所述第一高折射率材料和第二高折射率材料的折射率高于下部介質的折射率和與所述感光通道上部連接的彩色濾光片的折射率。?

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