[實用新型]發光二極管模塊檢驗有效
| 申請號： | 201220028375.5 | 申請日： | 2012-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN202633246U | 公開（公告）日： | 2012-12-26 |
| 發明（設計）人： | 羅友群;方志恒 | 申請（專利權）人： | 由田信息技術(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京天平專利商標代理有限公司 11239 | 代理人： | 孫剛 |
| 地址： | 200020 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 模塊 檢驗 | ||
【權利要求書】：
1.一種發光二極管模塊檢驗，包括：
一攝影部，系用以擷取影像；
一擴散層，位于該攝影部前方，系用以均勻化光源并于擴散層內部空間將光線產生會聚；
一介質層，位于該擴散層前方，系用以提供光源穿透；
其特征在于：復數光源模塊，位于該介質層前方，系容置固定于一承載件內表面，該復數光源模塊系以規則性比例之多組單一光源組件排列而成，其中每一組單一光源組件組成之數量皆相等；以及一輻射模塊，位于該承載件下方。
2.如權利要求1所述的發光二極管模塊檢驗，其特征在于，擴散層及介質層系利用至少一夾持片加以固定定位。
3.如權利要求1所述的發光二極管模塊檢驗，其特征在于，擴散層及介質層之配置排列順序可互為更換。
4.如權利要求1所述的發光二極管模塊檢驗，其特征在于，擴散層將光線產生會聚之效果系于擴散層內部空間完成。
5.如權利要求1所述的發光二極管模塊檢驗，其特征在于，復數光源模塊系以串行或并列配置形式排列組合而成。
6.如權利要求1所述的發光二極管模塊檢驗，其特征在于，復數光源模塊之光源為發光二極管或雷射二極管。?
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于由田信息技術(上海)有限公司，未經由田信息技術(上海)有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220028375.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
