[發(fā)明專利]低電源電壓高共模抑制比運算放大器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210591649.6
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN103036516A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳超;吳建輝;趙超;李紅;黃成;田茜
• 申請（專利權(quán)）人: 東南大學(xué)
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 夏雪

1.一種低電源電壓高共模抑制比運算放大器，其特征在于：該運算放大器包含主跨導(dǎo)級電路、從跨導(dǎo)級電路、第一級負(fù)載和第二級放大電路；其中，主跨導(dǎo)級電路包括第五P型金屬氧化物晶體管(P₅)、第六P型金屬氧化物晶體管(P₆)、第七P型金屬氧化物晶體管(P₇)、第四N型金屬氧化物晶體管(N₄)和第五N型金屬氧化物晶體管(N₅)；從跨導(dǎo)級電路包括第二P型金屬氧化物晶體管(P₂)、第三P型金屬氧化物晶體管(P₃)和第四P型金屬氧化物晶體管(P₄)；第一級負(fù)載包括第二N型金屬氧化物晶體管(N₂)和第三N型金屬氧化物晶體管(N₃)；從跨導(dǎo)級電路中的第二P型金屬氧化物晶體管(P₂)、第三P型金屬氧化物晶體管(P₃)和第四P型金屬氧化物晶體管(P₄)的寬長比分別是主跨導(dǎo)級電路中第五P型金屬氧化物晶體管(P₅)、第六P型金屬氧化物晶體管(P₆)和第七P型金屬氧化物晶體管(P₇)寬長比的2倍；第一級負(fù)載的第二N型金屬氧化物晶體管(N₂)和第三N型金屬氧化物晶體管(N₃)與第四N型金屬氧化物晶體管(N₄)的寬長比相同；第二級放大電路包括第一P型金屬氧化物晶體管(P₁)、第一N型金屬氧化物晶體管(N₁)、第一電容(C₁)和第一電阻(R₁)；

第三P型金屬氧化物晶體管(P₃)的柵極與第七P型金屬氧化物晶體管(P₇)的柵極連接作為差分輸入的一端(INP)，第四P型金屬氧化物晶體管(P₄)的柵極和第六P型金屬氧化物晶體管(P₆)的柵極連接作為差分輸入的另一端(INN)，第三P型金屬氧化物晶體管(P₃)的源極、第四P型金屬氧化物晶體管(P₄)的源極和第二P型金屬氧化物晶體管(P₂)的漏極連接，第四P型金屬氧化物晶體管(P₄)的漏極和第三N型金屬氧化物晶體管(N₃)的漏極和柵極連接，第二N型金屬氧化物晶體管(N₂)的柵極和第三N型金屬氧化物晶體管(N₃)的柵極和漏極連接，第六P型金屬氧化物晶體管(P₆)的源極、第七P型金屬氧化物晶體管(P₇)的源極和第五P型金屬氧化物晶體管(P₅)的漏極連接，第六P型金屬氧化物晶體管(P₆)的漏極、第七P型金屬氧化物晶體管(P₇)的漏極和第四N型金屬氧化物晶體管(N₄)的漏極連接，第二P型金屬氧化物晶體管(P₂)的柵極、第五P型金屬氧化物晶體管(P₅)的柵極、第六P型金屬氧化物晶體管(P₆)的漏極、第七P型金屬氧化物晶體管(P₇)的漏極和第四N型金屬氧化物晶體管(N₄)的漏極連接，第四N型金屬氧化物晶體管(N₄)的柵極和第五N型金屬氧化物晶體管(N₅)的柵極和漏極連接，第五N型金屬氧化物晶體管(N₅)的漏極和基準(zhǔn)電流連接；第三P型金屬氧化物晶體管(P₃)的漏極、第二N型金屬氧化物晶體管(N₂)的漏極、第一P型金屬氧化物晶體管(P₁)的柵極和第一電阻(R₁)的一端連接，第一電阻(R₁)的另一端和第一電容(C₁)的正端連接，第一電容(C₁)的負(fù)端和第一P型金屬氧化物晶體管(P₁)的漏極、第一N型金屬氧化物晶體管(N₁)的漏極和輸出端(OUT)連接，第一P型金屬氧化物晶體管(P₁)的源極、第二P型金屬氧化物晶體管(P₂)的源極、第五P型金屬氧化物晶體管(P₅)的源極和電源線連接，第一N型金屬氧化物晶體管(N₁)的源極、第二N型金屬氧化物晶體管(N₂)的源極、第三N型金屬氧化物晶體管(N₃)的源極、第四N型金屬氧化物晶體管(N₄)的源極、第五N型金屬氧化物晶體管(N₅)的源極和地線連接。