[發(fā)明專利]焦平面探測(cè)器銦柱的光刻方法及裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210589625.7
• 申請(qǐng)日: 2012-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN103078003A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張敏;諸子玲;孫浩;錢亞男
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十一研究所
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;G03F7/00
• 代理公司: 工業(yè)和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 吳永亮

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光電技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種焦平面探測(cè)器銦柱的光刻方法及裝置。

背景技術(shù)

紅外焦平面探測(cè)技術(shù)的光譜響應(yīng)波段寬，可獲得更多的地面目標(biāo)信息，而且能夠晝夜工作，廣泛應(yīng)用于預(yù)警探測(cè)、情報(bào)偵察、毀傷效果估計(jì)以及農(nóng)牧業(yè)、森林資源的調(diào)查、氣象預(yù)報(bào)、地?zé)岱植?、地震、火山活?dòng)得等領(lǐng)域。

隨著探測(cè)器的逐步發(fā)展，需制備出陣列規(guī)模更大、成像效果更好的探測(cè)器芯片，而光刻工藝是制備探測(cè)器芯片的關(guān)鍵技術(shù)之一，但是現(xiàn)有的光刻方法都只是采用接觸式光刻方法，而接觸式光刻工藝在將光刻膠進(jìn)行剝離時(shí)，會(huì)破壞探測(cè)器銦柱的均勻性，隨著探測(cè)器芯片的不斷發(fā)展接觸式光刻工藝已不能滿足人們對(duì)探測(cè)器芯片的發(fā)展需求，所以如何提高探測(cè)器銦柱的光刻后的均勻性成為現(xiàn)在亟待解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述的分析，本發(fā)明旨在提供一種焦平面探測(cè)器銦柱的光刻方法及裝置，用以進(jìn)一步提高現(xiàn)有技術(shù)中探測(cè)器銦柱的均勻性。

本發(fā)明的目的主要是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種焦平面探測(cè)器銦柱的光刻方法，該方法包括：

在金屬化處理后的探測(cè)器芯片上涂覆光刻膠；

將涂覆完光刻膠的所述探測(cè)器芯片進(jìn)行烘烤；

將烘烤完的所述探測(cè)器芯片進(jìn)行離焦光刻，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形；

將離焦光刻后的探測(cè)器芯片進(jìn)行低溫烘烤。

優(yōu)選地，所述探測(cè)器芯片涂覆光刻膠的厚度為12~18微米。

優(yōu)選地，將涂覆完光刻膠的所述探測(cè)器芯片進(jìn)行烘烤的步驟具體包括：

涂覆完光刻膠的所述探測(cè)器芯片進(jìn)行整體烘烤，所述整體烘烤的溫度為50~70度，整體烘烤時(shí)間為0.5~1小時(shí)；

然后再進(jìn)行表面烘烤，所述表面烘烤的溫度為90~110度，表面烘烤時(shí)間為1~3分鐘。

優(yōu)選地，所述離焦光刻具體包括：將離焦光刻的焦距調(diào)整到所述探測(cè)器芯片與光刻膠接觸的表面，然后進(jìn)行離焦光刻，離焦光刻的離焦量為-0.011~0.015毫米。

優(yōu)選地，所述低溫烘烤的溫度為50~80度，時(shí)間為1~3小時(shí)。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種焦平面探測(cè)器銦柱的光刻裝置，該裝置包括：

涂膠機(jī)，用于在金屬化處理后的探測(cè)器芯片上涂覆光刻膠；

烘烤箱，用于將涂覆完光刻膠的所述探測(cè)器芯片進(jìn)行烘烤，并將離焦光刻后的探測(cè)器芯片進(jìn)行低溫烘烤；

光刻機(jī)，用于將所述烘烤箱烘烤完的所述探測(cè)器芯片進(jìn)行離焦光刻，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形。

優(yōu)選地，所述探測(cè)器芯片涂覆光刻膠的厚度為12~18微米。

優(yōu)選地，所述烘烤箱具體用于，將涂覆完光刻膠的所述探測(cè)器芯片進(jìn)行整體烘烤，所述整體烘烤的溫度為50~70度，整體烘烤時(shí)間為0.5~1小時(shí)；

還包括熱板，所述熱板，用于將整體烘烤后的探測(cè)器芯片進(jìn)行表面烘烤，所述表面烘烤的溫度為90~110度，表面烘烤時(shí)間為1~3分鐘。

優(yōu)選地，所述光刻機(jī)具體用于，將離焦光刻的焦距調(diào)整到所述探測(cè)器芯片與光刻膠接觸的表面，然后進(jìn)行離焦光刻，離焦光刻離焦量為-0.011~0.015毫米，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形。

優(yōu)選地，所述烘烤箱還用于，對(duì)所述光刻機(jī)離焦光刻后的所述探測(cè)器芯片進(jìn)行低溫烘烤，所述低溫烘烤的溫度為50~80度，時(shí)間為1~3小時(shí)。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明提供的焦平面探測(cè)器銦柱的光刻方法及裝置，對(duì)涂覆完光刻膠的探測(cè)器芯片進(jìn)行整體烘烤之后，再對(duì)探測(cè)器芯片進(jìn)行表面烘烤，使得探測(cè)器芯片上的光刻膠產(chǎn)生內(nèi)外溫差，然后結(jié)合非接觸光刻方式的離焦光刻，產(chǎn)生顯影后呈倒梯形的厚膠圖形，該倒梯形的厚膠圖形側(cè)壁與銦的接觸面積小，后續(xù)用丙酮溶解光刻膠時(shí)，光刻膠表面上的銦更容易脫落，從而得到均勻的銦柱形貌。

本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書中闡述，并且，部分的從說(shuō)明書中變得顯而易見，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在所寫的說(shuō)明書、權(quán)利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的焦平面探測(cè)器銦柱的光刻方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例的焦平面探測(cè)器銦柱的光刻裝置示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖來(lái)具體描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其中，附圖構(gòu)成本申請(qǐng)一部分，并與本發(fā)明的實(shí)施例一起用于闡釋本發(fā)明的原理。

實(shí)施例1

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種焦平面探測(cè)器銦柱的光刻方法，參見圖1，該方法包括：