[發明專利]焦平面探測器銦柱的光刻方法及裝置

有效

• 申請號: 201210589625.7
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103078003A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 張敏;諸子玲;孫浩;錢亞男
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十一研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;G03F7/00
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 吳永亮

1.一種焦平面探測器銦柱的光刻方法，其特征在于，包括：

在金屬化處理后的探測器芯片上涂覆光刻膠；

將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行烘烤；

將烘烤完的所述探測器芯片進行離焦光刻，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形；

將離焦光刻后的探測器芯片進行低溫烘烤。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述探測器芯片涂覆光刻膠的厚度為12~18微米。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行烘烤的步驟具體包括：

涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行整體烘烤，所述整體烘烤的溫度為50~70度，整體烘烤時間為0.5~1小時；

然后再進行表面烘烤，所述表面烘烤的溫度為90~110度，表面烘烤時間為1~3分鐘。

4.根據權利要求1-3任意一項所述的方法，其特征在于，所述離焦光刻具體包括：將離焦光刻的焦距調整到所述探測器芯片與光刻膠接觸的表面，然后進行離焦光刻，離焦光刻的離焦量為-0.011~0.015毫米。

5.根據權利要求1-3任意一項所述的方法，其特征在于，所述低溫烘烤的溫度為50~80度，時間為1~3小時。

6.一種焦平面探測器銦柱的光刻裝置，其特征在于，包括：

涂覆器，用于在金屬化處理后的探測器芯片上涂覆光刻膠；

烘烤箱，用于將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行烘烤，并將離焦光刻后的探測器芯片進行低溫烘烤；

光刻機，用于將所述烘烤箱烘烤完的所述探測器芯片進行離焦光刻，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形。

7.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述探測器芯片涂覆光刻膠的厚度為12~18微米。

8.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，

所述烘烤箱具體用于，將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行整體烘烤，所述整體烘烤的溫度為50~70度，整體烘烤時間為0.5~1小時；

還包括熱板，所述熱板，用于將整體烘烤后的探測器芯片進行表面烘烤，所述表面烘烤的溫度為90~110度，表面烘烤時間為1~3分鐘。

9.根據權利要求6-8任意一項所述的裝置，其特征在于，

所述光刻機具體用于，將離焦光刻的焦距調整到所述探測器芯片與光刻膠接觸的表面，然后進行離焦光刻，離焦光刻離焦量為-0.011~0.015毫米，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形。

10.根據權利要求6-8任意一項所述的裝置，其特征在于，

所述烘烤箱還用于，對所述光刻機離焦光刻后的所述探測器芯片進行低溫烘烤，所述低溫烘烤的溫度為50~80度，時間為1~3小時。