[發明專利]具有三層介質鈍化結構的二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201210587556.6
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103050399A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 王明輝;賈文慶;郭沖;王平
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭集成電路有限公司;成都士蘭半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L29/861;H01L23/31
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種具有三層介質鈍化結構的二極管的制造方法，步驟如下：

利用半導體工藝形成在晶片中具有P接觸區和N接觸區的PN結；

在晶片正面生長二氧化硅介質后，去除部分二氧化硅介質，形成暴露出所述P接觸區的第一窗口；

淀積覆蓋在所述二氧化硅介質上和第一窗口內的氮化硅介質，去除部分氮化硅介質，形成暴露出所述第一窗口的第二窗口；

在所述第二窗口內及與所述第二窗口緊鄰的部分氮化硅介質上制作正面電極；

在所述氮化硅介質及與所述氮化硅介質緊鄰的部分正面電極上覆蓋形成聚酰亞胺介質；

在晶片背面制作背面電極，完成二極管的加工。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二窗口還暴露出與第一窗口緊鄰的部分二氧化硅介質的過程為：去除與第一窗口緊鄰的部分氮化硅介質。

3.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述正面電極還覆蓋在與所述第一窗口緊鄰的部分二氧化硅化硅介質上。

4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在晶片正面氧化生長二氧化硅介質的溫度為800℃～1250℃，時間為1h～24h。

5.如權利要求4所述的二極管，其特征在于，所述二氧化硅介質的厚度為

6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述二氧化硅介質上淀積氮化硅介質的溫度為600℃～1000℃，時間為1h～7h。

7.如權利要求6所述的二極管，其特征在于，所述氮化硅介質的厚度為

8.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述聚酰亞胺介質的厚度為3um～15um。

9.一種具有三層介質鈍化結構的二極管，包括：

正面電極，形成在晶片的PN結中的P接觸區上；

三層介質鈍化結構，包括二氧化硅介質、氮化硅介質和聚酰亞胺介質，所述二氧化硅介質形成在晶片上且包圍形成在PN結中的P接觸區；所述氮化硅介質形成在二氧化硅介質上；所述聚酰亞胺介質形成在氮化硅介質上；

所述三層介質鈍化結構緊密包圍形成在PN結中的P接觸區上的正面電極，且所述聚酰亞胺介質還延伸覆蓋至部分正面電極上和所述正面電極還延伸覆蓋至部分氮化硅介質上；

背面電極，形成在晶片背面上。

10.如權利要求9所述的二極管，其特征在于，所述正面電極還延伸覆蓋至部分所述二氧化硅介質上。

11.如權利要求9所述的二極管，其特征在于，所述二氧化硅介質的厚度為

12.如權利要求9所述的二極管，其特征在于，所述氮化硅介質的厚度為

13.如權利要求9所述的二極管，其特征在于，所述聚酰亞胺介質的厚度為3um～15um。