[發明專利]一種制備高單晶質量的張應變鍺納米薄膜的方法有效
| 申請號： | 201210587242.6 | 申請日： | 2012-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN103014847A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發明（設計）人： | 狄增峰;郭慶磊;張苗;葉林;薛忠營;陳龍;王剛;高曉強 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | C30B25/18 | 分類號： | C30B25/18;C30B29/08;C30B33/08 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 高單晶 質量 應變 納米 薄膜 方法 | ||
1.一種制備高單晶質量的張應變鍺納米薄膜的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
提供一GeOI襯底；其包括底層硅、位于該底層硅上的埋氧層以及位于該埋氧層上的頂層鍺；
在該GeOI襯底的頂層鍺上外延InxGa1-xAs層，形成InxGa1-xAs/GeOI?結合體，其中，所述InxGa1-xAs層厚度不超過InxGa1-xAs/GeOI?結合體的臨界厚度，x的取值范圍為0～1；
在該InxGa1-xAs層上外延Ge納米薄膜層，形成Ge/InxGa1-xAs/GeOI?結合體；所述Ge納米薄膜的厚度與所述GeOI襯底中頂層鍺的厚度相等；且不超過Ge/InxGa1-xAs/GeOI結合體的臨界厚度；
利用光刻以及RIE技術將Ge/InxGa1-xAs/GeOI?結合體進行圖形化并得到腐蝕窗口；
濕法腐蝕，直至所述埋氧層被腐蝕完全，其余?Ge/InxGa1-xAs/Ge結合體與所述底層硅脫離。
2.根據權利要求1所述的制備高單晶質量的張應變鍺納米薄膜的方法，其特征在于，所述的頂層鍺厚度為30nm~100nm。
3.根據權利要求1所述的制備高單晶質量的張應變鍺納米薄膜的方法，其特征在于，通過調節x值以及InxGa1-xAs層的厚度調節Ge納米薄膜中張應變大小。?
4.根據權利要求1所述的制備高單晶質量的張應變鍺納米薄膜的方法，其特征在于，在該InxGa1-xAs層上外延Ge納米薄膜層采用MBE或者MOCVD生長技術。
5.根據權利要求1所述的制備高單晶質量的張應變鍺納米薄膜的方法，其特征在于，所述濕法腐蝕采用HF溶液或BOE溶液。
6.根據權利要求1所述的制備高單晶質量的張應變鍺納米薄膜的方法，其特征在于，在該GeOI襯底的頂層鍺上外延InxGa1-xAs層之前還包括清洗的步驟。
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