[發明專利]小線寬溝槽圖形的制備方法有效
| 申請號： | 201210586227.X | 申請日： | 2012-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN103065948B | 公開（公告）日： | 2017-04-19 |
| 發明（設計）人： | 胡紅梅 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吳世華,林彥之 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 小線寬 溝槽 圖形 制備 方法 | ||
1.一種小線寬溝槽圖形的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S101，提供半導體襯底，在該半導體襯底上依次形成目標材料層、第一底部抗反射層以及第一光刻膠；
步驟S102，第一次光刻，形成第一光刻膠主圖形以及小尺寸旁瓣圖形，旁瓣圖形的線寬小于光刻設備分辨率；其中，該第一次光刻的掩膜版為衰減性相移掩膜版，通過常規方法調節光刻機的數值孔徑和相干系數以及根據不同光刻膠或不同掩膜圖形調節曝光能量獲得旁瓣圖形；
步驟S103，在第一光刻膠主圖形和相應旁瓣圖形上涂布第二光刻膠；
步驟S104，對該第二光刻膠進行第二次光刻，產生定義第一次光刻后的旁瓣圖形的區域；
步驟S105，采用自對準技術，將旁瓣圖形經刻蝕傳遞至目標材料層，去除第一光刻膠、第二光刻膠和第一底部抗反射層，最終在目標材料層上形成具有小線寬的溝槽圖形。
2.根據權利要求1所述的小線寬溝槽圖形的制備方法，其特征在于：步驟S102中第一次光刻的光刻機數值孔徑為0.5-1.2，相干系數為0.3-0.9，步驟S102還包括調節曝光能量和焦距，使掩膜版圖形經曝光后獲得旁瓣圖形。
3.根據權利要求1所述的小線寬溝槽圖形的制備方法，其特征在于：步驟S104中還包括通過焦距-能量矩陣實驗確定曝光條件，使第二次光刻后不產生旁瓣圖形。
4.根據權利要求3所述的小線寬溝槽圖形的制備方法，其特征在于：該第二次光刻的掩膜版為衰減性相移掩膜版，且該掩模版圖形與第一次光刻的掩膜版圖形完全相同，而相應圖形的透光率不完全相同。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
