[發明專利]一種場發射陰極的制備方法無效
| 申請號： | 201210583150.0 | 申請日： | 2012-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN103045999A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發明（設計）人： | 王明剛;王雪梅;孟憲斌 | 申請（專利權）人： | 青島潤鑫偉業科貿有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/34;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京愛普納杰專利代理事務所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人： | 何自剛 |
| 地址： | 266000 山東省青島*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發射 陰極 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種ZrNxOy納米線場發射陰極的制備方法，包括：
Si襯底在丙酮和酒精中分別經超聲清洗15min，然后用去離子水沖洗；
采用高純Ar(99，999％)作為濺射氣體，高純N2(99.999％)作為反應氣體；
真空室本底壓強1.5×10-1Pa，濺射沉積過程的壓強為1.5Pa，濺射時所加電壓為400V，電流為0.4A，濺射時間為30min，濺射ZrNxOy；
生成后的樣品再在管式爐中，不同溫度下，NZ氣氛中退火2小時。
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