[發明專利]低剖面動中通收發共用一維有源相控陣天線

有效

• 申請號: 201210579486.X
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103022727A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 韓國棟;武偉;杜彪
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十四研究所
• 主分類號: H01Q21/00
• 分類號: H01Q21/00;H01Q21/24;H01Q3/30
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.低剖面動中通收發共用一維有源相控陣天線，包括雙極化天線單元(1)、方位面饋電網絡(2)、雙工器(3)、小型化T/R組件(4)、射頻電纜(5)和俯仰面微帶功分網絡(6)，雙極化天線單元(1)依次通過方位面饋電網絡(2)、雙工器(3)、小型化T/R組件(4)、射頻電纜(5)和俯仰面微帶功分網絡(6)進行連接，其特征在于：雙極化天線單元(1)輻射口面的中心軸線與水平面呈20°至40°的向上夾角，多個雙極化天線單元(1)在每一行上按照統一高度進行排列，相鄰兩行雙極化天線單元(1)的輻射口面外壁相接，上面一行的雙極化天線單元(1)輻射口面沿下面一行的雙極化天線單元(1)口面的上側壁向下方位移一定距離。

2.根據權利要求1所述的低剖面動中通收發共用一維有源相控陣天線，其特征在于：所述的雙極化天線單元(1)包括輻射口面(1-3)、主波導(1-4)、垂直極化波導(1-2)和水平極化波導(1-1)；主波導(1-4)的上端與輻射口面(1-3)相連，主波導(1-4)的下端與垂直極化波導(1-2)相連；水平極化波導(1-1)通過設置在主波導(1-4)側壁的耦合縫隙與主波導(1-4)相連通。

3.根據權利要求1或2所述的低剖面動中通收發共用一維有源相控陣天線，其特征在于：所述的方位面饋電網絡(2)為扁波導雙通道方位面饋電網絡，扁波導內腔分為上下兩層，兩層之間為金屬化隔板，上層為水平極化通道的功分網絡，下層為垂直極化通道的功分網絡。

4.根據權利要求3所述的低剖面動中通收發共用一維有源相控陣天線，其特征在于：雙工器(3)為扁波導雙通道的雙工器，扁波導內腔分為上下兩層，每一層實現一路極化信號的頻率雙工，其中上層為水平極化通道，下層為垂直極化通道。

5.根據權利要求4所述的低剖面動中通收發共用一維有源相控陣天線，其特征在于：所述的小型化T/R組件(4)包括小型化接收組件(4-1)和小型化發射組件(4-2)；其中小型化接收組件(4-1)的輸入端口(15)為上下兩層扁波導端口，上層為水平極化信號端口，下層為垂直極化信號端口，其輸出端口(14)為一路SMA接頭的射頻信號接口；其中小型化發射組件(4-2)的輸入端口(18)為一路SMA接頭的射頻信號接口，其輸出端口(17)分為上下兩層扁波導端口，上層為水平極化信號端口，下層為垂直極化信號端口。

6.根據權利要求2所述的低剖面動中通收發共用一維有源相控陣天線，其特征在于：輻射口面(1-3)的尺寸為0.75至0.93倍波長，主波導(1-4)的截面尺寸為0.55至0.65倍波長；垂直極化通道(1-2)和水平極化通道(1-1)饋電端口寬邊尺寸為0.63至0.78倍波長，窄邊尺寸0.15至0.2倍波長。

7.根據權利要求2所述的低剖面動中通收發共用一維有源相控陣天線，其特征在于：所述的扁波導雙通道的方位面饋電網絡(2)為實現兩個極化饋電的H-T雙層波導槽洗結構，每一層均為1:N的波導功分器；雙通道總口的寬邊尺寸均為0.63至0.78倍波長；窄邊尺寸均為0.15至0.2倍波長，上層水平極化通道的分口(12)的饋電端口寬邊尺寸均為0.63至0.78倍波長，窄邊尺寸均為0.15至0.2倍波長，下層垂直極化通道的分口(13)的饋電端口寬邊尺寸為0.55至0.65倍波長，窄邊尺寸0.15至0.2倍波長；方位面饋電網絡(2)的厚度為0.47至0.56倍的波長。

8.根據權利要求3所述的低剖面動中通收發共用一維有源相控陣天線，其特征在于：所述的扁波導雙通道的小型化雙工器(3)收發通道的總口和分口厚度均為0.47至0.56倍的波長，長度均為10.2至12.3倍的波長。

9.根據權利要求4所述的低剖面動中通收發共用一維有源相控陣天線，其特征在于：所述的小型化T/R組件中接收組件的輸入端口(15)的尺寸，其寬邊均為0.63至0.78倍波長，窄邊尺寸均為0.15至0.2倍波長；所述的小型化T/R組件中發射組件的輸入端口(17)的尺寸，其寬邊均為0.63至0.78倍波長，窄邊尺寸均為0.15至0.2倍波長。