[發明專利]一種SiC/SiO2納米線增強體的合成方法有效
| 申請號： | 201210578947.1 | 申請日： | 2012-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN103011166A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發明（設計）人： | 王志江;矯金福;徐用軍;姜兆華 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | C01B31/36 | 分類號： | C01B31/36;C01B33/12 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人： | 韓末洙 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic sio sub 納米 增強 合成 方法 | ||
1.一種SiC/SiO2納米線增強體的合成方法，其特征在于SiC/SiO2納米線增強體的合成方法按下列步驟實現：
一、按摩爾百分比將5%~40%的硅粉、5%~40%的SiO2和45%~85%的碳納米管粉體均勻混合，得到混合粉體；
二、將步驟一得到的混合粉體放于管式爐或燒結爐中，在氬氣氛中，升溫至1100~1500℃的溫度并保溫1～8h，得到燒結混合粉體；
三、將步驟二得到的燒結混合粉體置于加熱設備中，在溫度為300~800℃的條件下保溫2～10h去碳，得到SiC/SiO2納米線增強體；
其中步驟一所述的硅粉細度為100～300目，SiO2粉體的粒徑小于80nm，碳納米管的直徑為20~40nm，長度為5~15μm。
2.根據權利要求1所述的一種SiC/SiO2納米線增強體的合成方法，其特征在于步驟一按摩爾百分比將15%~20%的硅粉、15%~20%的SiO2和60%~70%的碳納米管粉體均勻混合。
3.根據權利要求1所述的一種SiC/SiO2納米線增強體的合成方法，其特征在于步驟一按摩爾百分比將17%的硅粉、17%的SiO2和66%的碳納米管粉體均勻混合。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的一種SiC/SiO2納米線增強體的合成方法，其特征在于步驟二在氬氣氛中以1100~1500℃的溫度保溫1～8h，升溫方式按如下方式控制：用40～150min的時間將溫度從20℃升至500℃，再用20～100min的時間將溫度從500℃升至800℃,再用20～90min的時間將溫度從800℃升至1000℃，最后用70～300min將溫度從1000℃升至1500℃。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的一種SiC/SiO2納米線增強體的合成方法，其特征在于步驟二在氬氣氛中以1100~1500℃的溫度保溫1～8h，升溫方式按如下方式控制：用50min的時間將溫度從20℃升至500℃，再用30min的時間將溫度從500℃升至800℃,再用40min的時間將溫度從800℃升至1000℃，最后用80min將溫度從1000℃升至1500℃。
6.根據權利要求5所述的一種SiC/SiO2納米線增強體的合成方法，其特征在于步驟二在氬氣氛中，升溫至1400℃的溫度并保溫3h。
7.根據權利要求6所述的一種SiC/SiO2納米線增強體的合成方法，其特征在于步驟三中的加熱設備為馬弗爐。
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