[發明專利]改進分柵存儲器的擦除及編程性能的方法

有效

• 申請號: 201210577035.2
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN102983080B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 李冰寒
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種改進分柵存儲器的擦除及編程性能的方法，其特征在于包括：

疊層形成步驟，用于在襯底上依次形成柵極氧化物層、浮柵多晶硅層和氮化硅層；

氮化硅光刻步驟，用于在氮化硅層上布置光刻膠并對光刻膠進行光刻；

氮化硅刻蝕步驟，用于利用光刻后的光刻膠對氮化硅層進行刻蝕，從而露出浮柵多晶硅層的分柵存儲器的浮柵尖端形成區域及其中間區域；

注入步驟，用于以氮化硅層為掩膜對分柵存儲器的浮柵尖端形成區域進行傾斜離子注入，從而使浮柵尖端形成區域的多晶硅刻蝕速率大于中間區域的多晶硅；

浮柵多晶硅坡度刻蝕步驟，用于對浮柵多晶硅進行各向同性的刻蝕。

2.根據權利要求1所述的改進分柵存儲器的擦除及編程性能的方法，其特征在于還包括：

浮柵側墻淀積步驟，用于沉積浮柵側墻層；

浮柵側墻刻蝕步驟，用于對浮柵側墻層進行刻蝕，從而在凹槽的側壁上形成浮柵側壁；

浮柵側墻濕法蝕刻步驟，用于對浮柵側墻進行濕法蝕刻；

浮柵多晶硅蝕刻步驟，用于浮柵多晶硅層的凹槽區域進行進一步刻蝕，從而刻蝕掉中間區域的浮柵多晶硅。

3.根據權利要求1或2所述的改進分柵存儲器的擦除及編程性能的方法，其特征在于，所述傾斜離子注入包括分別形成第一注入區和第二注入區的第一傾斜離子注入和第二傾斜離子注入，并且第一傾斜離子注入和第二傾斜離子注入相對于豎直方向對稱布置，由此使得分柵存儲器的浮柵尖端形成區域中形成的第一注入區和第二注入區對稱布置。

4.根據權利要求1或2所述的改進分柵存儲器的擦除及編程性能的方法，其特征在于，第一傾斜離子注入和第二傾斜離子注入均與豎直方向成合適的角度。

5.根據權利要求1或2所述的改進分柵存儲器的擦除及編程性能的方法，其特征在于，第一傾斜離子注入和第二傾斜離子注入均與豎直方向成45°。

6.根據權利要求1或2所述的改進分柵存儲器的擦除及編程性能的方法，其特征在于，第一傾斜離子注入和第二傾斜離子注入的注入離子和注入能量相同。

7.根據權利要求1或2所述的改進分柵存儲器的擦除及編程性能的方法，其特征在于，第一傾斜離子注入和第二傾斜離子注入的注入離子為能加快刻蝕速率的離子。