[發(fā)明專利]分離柵閃存之頂部源線耦合的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210576912.4
• 申請(qǐng)日: 2012-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103066025B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方亮;何澤軍;張雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8247
• 分類號(hào): H01L21/8247;H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種分離柵閃存之頂部源線耦合的方法，其特征在于，所述方法包括：

執(zhí)行步驟S1：提供半導(dǎo)體襯底，并在所述半導(dǎo)體襯底上形成遂穿氧化層；

執(zhí)行步驟S2：在所述遂穿氧化層之異于所述半導(dǎo)體襯底的一側(cè)依次形成浮柵多晶硅層和氮化硅層，并對(duì)所述氮化硅層進(jìn)行光刻、刻蝕；

執(zhí)行步驟S3：以所述氮化硅層為掩模，對(duì)所述浮柵多晶硅層進(jìn)行刻蝕；

執(zhí)行步驟S4：在所述氮化硅層之側(cè)壁和所述浮柵多晶硅層之上表面淀積氧化物層，并通過(guò)刻蝕工藝刻蝕所述氧化物層，以在所述氮化硅層之側(cè)壁形成自對(duì)準(zhǔn)氧化物側(cè)壁，并局部刻蝕位于所述自對(duì)準(zhǔn)氧化物側(cè)壁之間的所述浮柵多晶硅層，直至暴露局部遂穿氧化層之第一上表面；

執(zhí)行步驟S5：利用緩沖氧化物刻蝕劑對(duì)所述自對(duì)準(zhǔn)氧化物側(cè)壁進(jìn)行回刻，暴露位于所述自對(duì)準(zhǔn)氧化物側(cè)壁下方的部分浮柵多晶硅層，并將暴露的局部遂穿氧化層刻蝕，直至暴露所述半導(dǎo)體襯底之第二上表面；

執(zhí)行步驟S6：在所述氮化硅層、所述自對(duì)準(zhǔn)氧化物側(cè)壁，以及所述被刻蝕而暴露的半導(dǎo)體襯底之第二上表面淀積所述高溫氧化物層；

執(zhí)行步驟S7：在所述高溫氧化物層的上表面淀積多晶硅層；

執(zhí)行步驟S8：刻蝕所述多晶硅層，以在所述高溫氧化層內(nèi)側(cè)之表面形成所述多晶硅側(cè)壁；

執(zhí)行步驟S9：去除形成在所述暴露的半導(dǎo)體襯底之第二上表面的高溫氧化物層；

執(zhí)行步驟S10：在所述高溫氧化層、所述多晶硅側(cè)壁，以及暴露的半導(dǎo)體襯底之外表面淀積所述源極多晶硅層，并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨。

2.如權(quán)利要求1所述的分離柵閃存之頂部源線耦合的方法，其特征在于，所述遂穿氧化層采用高溫爐管成膜法制備。