[發明專利]反射基板及其制造方法無效
| 申請號： | 201210575963.5 | 申請日： | 2012-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN103171181A | 公開（公告）日： | 2013-06-26 |
| 發明（設計）人： | 崔溶元;鄭映振;文東建;禹廣濟 | 申請（專利權）人： | 三星康寧精密素材株式會社 |
| 主分類號： | B32B9/04 | 分類號： | B32B9/04;B32B17/00;G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 韓國慶*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 反射 及其 制造 方法 | ||
1.一種反射基板，包含：
基礎基板，和
形成在所述基礎基板上的熱致變色薄膜，
其中，所述熱致變色薄膜包含熱致變色材料和摻雜進入所述熱致變色材料的摻雜劑，以使所述熱致變色薄膜的相轉變溫度小于所述熱致變色材料的相轉變溫度。
2.根據權利要求1所述的反射基板，其中，所述熱致變色材料包含選自由二氧化釩(VO2)、氧化鈦(III)(Ti2O3)、氧化鈮(NbO2)和硫化鎳(NiS)組成的組中的一種。
3.根據權利要求1所述的反射基板，其中，所述熱致變色材料包含二氧化釩(VO2)，并且，其中，所述摻雜劑包含選自由鉬(Mo)、鎢(W)、鉻(Cr)、鎳(Ni)和鋯(Zr)組成的組中的一種。
4.根據權利要求3所述的反射基板，其中，所述熱致變色薄膜包含摻雜有3at%或更多的所述鎢(W)的所述二氧化釩(VO2)。
5.根據權利要求1所述的反射基板，進一步包含所述基礎基板和所述熱致變色薄膜之間的氧化物薄膜或氮化物薄膜。
6.根據權利要求5所述的反射基板，其中，所述氧化物薄膜或氮化物薄膜包含選自由二氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、五氧化鈮(Nb2O5)、二氧化鈦(TiO2)和氮化硅(Si3N4)組成的組中的至少一種。
7.根據權利要求5所述的反射基板，其中，所述氧化物薄膜或氮化物薄膜的厚度在30nm至80nm的范圍內。
8.一種制造反射基板的方法，包含在基礎基板上形成如權利要求1所述的熱致變色薄膜。
9.根據權利要求8所述的反射基板，其中，所述熱致變色薄膜使用包含由所述摻雜劑摻雜的所述熱致變色材料的濺射靶形成。
10.根據權利要求8所述的反射基板，其中，所述熱致變色薄膜使用包含所述熱致變色材料的濺射靶和包含所述摻雜劑的濺射靶形成。
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