[發明專利]薄膜晶體管

有效

• 申請號: 201210573691.5
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103904126A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 曾堅信
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種薄膜晶體管。

背景技術

隨著工藝技術的進步，薄膜晶體管已被大量應用在顯示器之中，以適應顯示器的薄型化和小型化等需求。薄膜晶體管一般包括柵極、漏極、源極以及溝道層等組成部分，其通過控制柵極的電壓來改變溝道層的導電性，使源極和漏極之間形成導通或者截止的狀態。

氧化銦鎵鋅（Indium?Gallium?Zinc?Oxide,?IGZO）薄膜晶體管目前已經被廣泛的研究和應用在液晶面板上，特別是高解析度和大尺寸面板。但因IGZO薄膜易受外部環境的溫度、氧含量、水汽、光照等環境因素影響，因此，在采用濺鍍工藝制備IGZO薄膜時，制程中的等離子會對IGZO薄膜產生損害，進而影響IGZO薄膜晶體管的電流開關比、表面載流子濃度等參數，使得薄膜晶體管品質不高。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種較佳品質的薄膜晶體管。

一種薄膜晶體管，包括基板、設置在基板上的柵極、設置在基板上且覆蓋柵極的柵絕緣層、覆蓋在柵絕緣層表面的氧化銦鎵鋅溝道層、以及設置在溝道層表面的氧化鎵鋅層，該氧化鎵鋅層的相對兩側形成有源極和漏極。

在本發明提供的薄膜晶體管中，由于氧化鎵鋅層中沒有銦原子存在，因此載流子無法使用銦原子的5s軌道形成電傳導，且氧化鎵鋅層中鎵原子位于晶格間隙之間形成一散射中心，使氧化鎵鋅層中晶體結構產生形變，同時鎵原子也會抑制氧缺陷（Oxygen?Vacancy）的形成，因此可以有效降低薄膜載流子濃度，減低表面漏電流，使薄膜晶體管的電流開關比獲得較佳改善。

附圖說明

圖1是本發明第一實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖。

圖2是本發明實施例提供的薄膜晶體管的氮化鎵鋅層的結構示意圖。

圖3是本發明第二實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖。

圖4是本發明第三實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖。

主要元件符號說明

薄膜晶體管10、20、30基板11柵極12柵絕緣層13溝道層14氧化鎵鋅層15氧化鎵鋅半導體層150、152、154、156源極16漏極17

如下具體實施方式將結合上述附圖進一步說明本發明。

具體實施方式

請參見圖1，本發明第一實施例提供的薄膜晶體管10包括基板11，柵極12，柵絕緣層13，溝道層14，氧化鎵鋅（GaZnO）層15，源極16以及漏極17。

該基板11用于承載柵極12以及柵絕緣層13。該基板11的制作材料可為玻璃、石英、硅晶片、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或金屬箔等。

該柵極12設置在基板11的表面。在本實施例中，所述柵極12設置在基板11的中心區域。柵極12的制作材料選自銅、鋁、鎳、鎂、鉻、鉬、鎢及其合金。