[發明專利]薄膜晶體管

有效

• 申請號: 201210573691.5
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103904126A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 曾堅信
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種薄膜晶體管，包括基板、設置在基板上的柵極、設置在基板上且覆蓋柵極的柵絕緣層以及覆蓋在柵絕緣層表面的氧化銦鎵鋅溝道層，其特征在于：該薄膜晶體管還包括一設置在溝道層表面的氧化鎵鋅層，該氧化鎵鋅層的相對兩側形成有源極和漏極。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化鎵鋅層覆蓋整個溝道層，所述源極和漏極形成在氧化鎵鋅層上。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，承載所述源極和漏極的氧化鎵鋅層兩側區域的厚度與氧化鎵鋅層的中央區域厚度相同。

4.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，承載所述源極、漏極的氧化鎵鋅層兩側區域的厚度比氧化鎵鋅層的中央區域厚度小。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化鎵鋅層覆蓋溝道層的中部，所述源極和漏極覆蓋溝道層的兩個側部。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化鎵鋅層的厚度大于0.5納米。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化鎵鋅層的厚度與溝道層的厚度比范圍為1:100到5:1。

8.如權利要求1至7任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述多層氧化鎵鋅半導體層中鎵的含量沿遠離溝道層的方向逐漸增加。

9.如權利要求1至7任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化鎵鋅層由多層氧化鎵鋅半導體層堆疊而成，且該多層氧化鎵鋅半導體層中鎵的成分各不相同。

10.如權利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述多層氧化鎵鋅半導體層中，距離溝道層較近的氧化鎵鋅半導體層中鎵的含量低于距離溝道層較遠的氧化鎵鋅半導體層中鎵的含量。

11.一種薄膜晶體管，包括基板、設置在基板上的柵極、設置在基板上且覆蓋柵極的柵絕緣層以及覆蓋在柵絕緣層表面的氧化銦鎵鋅溝道層，其特征在于：該薄膜晶體管還包括一設置在溝道層表面的、不含銦的金屬氧化物半導體層，該金屬氧化物半導體層的相對兩側形成有源極和漏極。

12.如權利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物半導體層為氧化鋁鋅半導體層。

13.如權利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物半導體層為含鎵的氧化物半導體層。

14.如權利要求13所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物半導體層為載流子濃度小于10¹⁶cm^-3的氧化物半導體層。

15.如權利要求14所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物半導體層為氧化鎵鋅半導體層。

16.如權利要求15所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物半導體層為能夠使紅外線通過的含鎵氧化物半導體層。

17.如權利要求16所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物半導體層的紅外線透過率大于或等于60%。