[發明專利]一種類單晶硅鑄錠用籽晶拼接方法有效
| 申請號： | 201210571603.8 | 申請日： | 2012-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN103060892A | 公開（公告）日： | 2013-04-24 |
| 發明（設計）人： | 鐘德京;胡動力;張學日;劉海;陳小林 | 申請（專利權）人： | 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B11/14 | 分類號： | C30B11/14;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 國省代碼： | 江西;36 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 種類 單晶硅 鑄錠 籽晶 拼接 方法 | ||
1.一種類單晶硅鑄錠用籽晶拼接方法，用于定向凝固法類單晶硅鑄錠，其特征在于，籽晶層由所述籽晶緊密排列而成，每兩塊所述籽晶拼接面上，至少一條所述拼接面的切線方向與坩堝底部平面的法線方向成α角，0°<α<90°。
2.如權利要求1所述的一種類單晶硅鑄錠用籽晶拼接方法，其特征在于，所述籽晶層由所述籽晶緊密排列而成，具體為，兩個相鄰所述籽晶的拼接面相互配合緊密排列。
3.如權利要求1所述的一種類單晶硅鑄錠用籽晶拼接方法，其特征在于，所述拼接面呈平面。
4.如權利要求3所述的一種類單晶硅鑄錠用籽晶拼接方法，其特征在于，所述平面的切線方向與所述平底坩堝底部平面的法線方向成α角，0°<α<90°。
5.如權利要求1所述的一種類單晶硅鑄錠用籽晶拼接方法，其特征在于，所述拼接面呈曲面。
6.如權利要求5所述的一種類單晶硅鑄錠用籽晶拼接方法，其特征在于，所述曲面上，至少一條所述拼接面的切線方向與所述平底坩堝底部平面的法線方向成α角，0°<α<90°。
7.如權利要求1所述的一種類單晶硅鑄錠用籽晶拼接方法，其特征在于，所述拼接面有多條，包括平面和曲面。
8.如權利要求7所述的一種類單晶硅鑄錠用籽晶拼接方法，其特征在于，當所述拼接面呈平面時，所述平面的切線方向與所述平底坩堝底部平面的法線方向成α角，0°<α<90°，當所述拼接面呈曲面時，至少一條所述拼接面的切線方向與所述平底坩堝底部平面的法線方向成α角，0°<α<90°。
9.如權利要求1所述的一種類單晶硅鑄錠用籽晶拼接方法，其特征在于，所述籽晶為片狀籽晶或方籽晶。
10.權利要求1所述的一種類單晶硅鑄錠用籽晶拼接方法，其特征在于，所述籽晶沿所述平底坩堝底部平面的法線方向的晶向為<100>晶向。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江西賽維LDK太陽能高科技有限公司，未經江西賽維LDK太陽能高科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210571603.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
