[發明專利]發光二極管元件有效
| 申請號: | 201210570399.8 | 申請日: | 2008-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN102983242B | 公開(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發明(設計)人: | 許嘉良 | 申請(專利權)人: | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/36 | 分類號: | H01L33/36;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 盧亞靜 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 元件 | ||
1.一種發光二極管元件,包括:
半導體結構,具有第一型半導體層及第二型半導體層;
出光區,具有靠近該半導體結構的第一面、遠離該半導體結構的第二面、以及位于該第一面以及該第二面之間的第一斜側壁;及
第一導線,電性連接至該第一型半導體層;
第一電極,位于該第一型半導體層上且電性連接至該第一型半導體層;
第一焊接墊,電性連接至該第一型半導體層,并位于該第二面上;其中該第二型半導體層介于該第一型半導體層以及該出光區之間,該半導體結構與該出光區位于該第一電極以及該第一焊接墊之間,該第一導線沿該第一面上方及該第一斜側壁連接該第一焊接墊;
其中該半導體結構以外延工藝從該出光區形成。
2.如權利要求1所述的發光二極管元件,其中該第一斜側壁與該第一面或該第二面間的角度為15~75度。
3.如權利要求2所述的發光二極管元件,其更包含焊錫位于該第一斜側壁上。
4.如權利要求2所述的發光二極管元件,其中該出光區具有相對于該第一斜側壁的第二斜側壁。
5.如權利要求4所述的發光二極管元件,還包括:
第二導線,位于該第二斜側壁上,且電性連接至該第二型半導體層。
6.如權利要求1所述的發光二極管元件,還包括第二電極,該第二電極電性連接至該第二型半導體層。
7.如權利要求3所述的發光二極管元件,其中該第一導線延伸至該半導體結構的側壁并與該第一焊接墊以及該第一電極連接。
8.如權利要求3所述的發光二極管元件,其中該第一導線延伸至該半導體結構的側壁。
9.如權利要求1所述的發光二極管元件,還包括:
第二焊接墊,電性連接至該第二型半導體層,并位于該第二面上。
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