[發(fā)明專利]一種掩膜板及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201210568152.2
• 申請日: 2012-12-24
• 公開（公告）號: CN103901715A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡華勇
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/62
• 分類號: G03F1/62;G03F1/48
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種掩膜板，包括基底、位于所述基底上的圖形化的硅鉬薄膜、以及位于所述掩膜板的周邊區(qū)域且位于所述硅鉬薄膜上方的圖形化的鉻薄膜，其特征在于，所述掩膜板還包括設(shè)置于所述鉻薄膜上方且覆蓋所述鉻薄膜的保護(hù)層。

2.如權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述保護(hù)層的材料為二氧化硅。

3.如權(quán)利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度為1~50nm。

4.如權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述基底的材料為石英。

5.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的掩膜板，其特征在于，所述保護(hù)層僅設(shè)置于所述鉻薄膜的正上方。

6.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的掩膜板，其特征在于，所述保護(hù)層覆蓋整個(gè)所述掩膜板的上表面。

7.一種掩膜板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底，在所述基底上形成圖形化的硅鉬薄膜、位于所述硅鉬薄膜上方且位于所述掩膜板周邊區(qū)域的圖形化的鉻薄膜、以及位于所述鉻薄膜上方且覆蓋所述鉻薄膜的保護(hù)層。

8.如權(quán)利要求7所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述保護(hù)層的材料為二氧化硅。

9.如權(quán)利要求8所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度為1~50nm。

10.如權(quán)利要求7所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟S101：提供基底，在所述基底上依次形成硅鉬薄膜、鉻薄膜以及保護(hù)材料薄膜；

步驟S102：對所述保護(hù)材料薄膜和鉻薄膜進(jìn)行刻蝕，形成形狀一致的圖形；

步驟S103：對所述保護(hù)材料薄膜繼續(xù)進(jìn)行刻蝕，去除其位于掩膜板的中心區(qū)域的部分以形成保護(hù)層；

步驟S104：對所述硅鉬薄膜進(jìn)行刻蝕，去除所述硅鉬薄膜未被所述鉻薄膜覆蓋的部分；

步驟S105：刻蝕去除所述鉻薄膜未被所述保護(hù)層覆蓋的部分。

11.如權(quán)利要求10所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，在所述步驟S101中形成所述保護(hù)材料薄膜的方法為：CVD或ALD。

12.如權(quán)利要求10所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述步驟S102包括：

步驟S1021：在所述保護(hù)材料薄膜上形成圖形化的光刻膠，所述圖形化的光刻膠覆蓋所述保護(hù)材料薄膜需去除部分之外的區(qū)域；

步驟S1022：通過干法刻蝕工藝去除所述保護(hù)材料薄膜未被所述圖形化的光刻膠覆蓋的部分，然后通過干法刻蝕去除所述鉻薄膜未被所述圖形化的光刻膠覆蓋的部分；

步驟S1023：去除所述圖形化的光刻膠。

13.如權(quán)利要求10所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，在所述步驟S105中，以所述保護(hù)層作為硬掩膜，或者，在所述保護(hù)層上方額外形成圖形化的光刻膠作為掩膜。

14.如權(quán)利要求7所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟S201：提供基底，在所述基底上依次形成硅鉬薄膜和鉻薄膜；

步驟S202：對所述鉻薄膜進(jìn)行刻蝕以形成圖形化的鉻薄膜；

步驟S203：對所述硅鉬薄膜進(jìn)行刻蝕，去除其未被所述鉻薄膜覆蓋的部分；

步驟S204：刻蝕去除所述鉻薄膜位于所述掩膜板的周邊區(qū)域之外的部分；

步驟S205：形成覆蓋整個(gè)所述掩膜板上表面的保護(hù)層。

15.如權(quán)利要求14所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，在所述步驟S201中形成所述保護(hù)材料薄膜的方法為：CVD或ALD。請刪除該部分以及示意圖。由于兩者差別較大，不合適放在同一專利中。