[發(fā)明專利]減少N型單晶頭部氧化層錯的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210567551.7 | 申請日： | 2012-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN103014840A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉光有;賀賢漢 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海申和熱磁電子有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/20 | 分類號： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 上海元一成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 趙青 |
| 地址： | 200444 上海市寶*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 減少 型單晶 頭部 氧化 方法 | ||
1.一種拉晶方法，包括引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑和收尾步驟，其特征在于，所述放肩步驟中，拉速為0.5~1.0mm/min，放肩時間為60~80min，氬氣流量為50~70slm，單晶爐內(nèi)的壓力為1-2KPa。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述放肩步驟的時間為70~80min。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述放肩步驟中，拉速為0.7~0.9mm/min，氬氣流量為55~65slm，單晶爐內(nèi)的壓力為1.2-1.5KPa。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述放肩步驟中，拉速為0.75~0.85mm/min，氬氣流量為58~62slm，單晶爐內(nèi)的壓力為1.3-1.4KPa。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述放肩步驟完成后，自晶線合成點向下11mm處作為單晶畫線的零位置。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述引晶步驟中，在多晶硅融化過程中摻雜磷合金。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述磷合金為P-Si合金。
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