[發明專利]一種在不銹鋼基底表面制備絕緣膜的方法及其在濕敏電容元件中的應用

有效

• 申請號: 201210565252.X
• 申請日: 2012-12-24
• 公開（公告）號: CN103021595A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 詹自力;張鵬帥;彭溦;詹青燃;周志玉
• 申請（專利權）人: 鄭州大學
• 主分類號: H01B19/00
• 分類號: H01B19/00;H01B17/62;G01N27/22
• 代理公司: 鄭州聯科專利事務所(普通合伙) 41104
• 代理人: 時立新;黃偉

1.一種在不銹鋼基底表面制備絕緣膜的方法，其特征在于，先部分水解正硅酸乙酯，再加入硅烷偶聯劑和沸點高于乙醇的第二溶劑組分，制備二氧化硅基有機-無機雜化膜預聚體，然后在清潔的不銹鋼基底表面制備二氧化硅基有機-無機雜化膜膜層。

2.如權利要求1所述的在不銹鋼基底表面制備絕緣膜的方法，其特征在于，所述的硅烷偶聯劑為1,2-雙（三乙氧基硅基）乙烷、苯基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷中的一種或一種以上的混合物。

3.如權利要求1所述的在不銹鋼基底表面制備絕緣膜的方法，其特征在于，所述的第二溶劑組分為異丙醇、丙三醇或乙二醇。

4.如權利要求1所述的在不銹鋼基底表面制備絕緣膜的方法，其特征在于，制備二氧化硅基有機-無機雜化膜預聚體的方法如下：在室溫攪拌下在燒杯中加入1.0?mol?的正硅酸乙酯、2.0-10.0?mol乙醇、0.01-0.10?mol乙酸、1.0-3.0?mol去離子水，攪拌1-3?h，使正硅酸乙酯部分水解；然后加入0.5-2.0?mol?1,2-雙（三乙氧基硅基）乙烷，0.1-0.5?mol苯基三甲氧基硅烷,0.1-0.5?mol?3-氨基丙基三乙氧基硅烷，攪拌2-8?h，然后再加入第二溶劑組分0.5-2.0?mol、攪拌20-30?min后，陳化12-36?h。

5.如權利要求4所述的在不銹鋼基底表面制備絕緣膜的方法，其特征在于，正硅酸乙酯與水的摩爾比1:1-3，正硅酸乙酯與1,2-雙（三乙氧基硅基）乙烷的摩爾比為1:0.5-2.0，正硅酸乙酯與苯基三甲氧基硅烷的摩爾比為1:0.1-0.5，正硅酸乙酯與3-氨丙基三乙氧基硅烷的摩爾比為1:0.1-0.5，乙醇的量為正硅酸乙酯、1,2-雙（三乙氧基硅基）乙烷、苯基三甲氧基硅烷和3-氨基丙基三乙氧基硅烷總摩爾量的1-5倍。

6.如權利要求4所述的在不銹鋼基底表面制備絕緣膜的方法，其特征在于，制備二氧化硅基有機-無機雜化膜層的步驟為：在不銹鋼基底表面均勻分布二氧化硅基有機-無機雜化膜預聚體，之后加熱制膜。

7.如權利要求6所述的在不銹鋼基底表面制備絕緣膜的方法，其特征在于，加熱制膜時采用升溫程序，從室溫在30-120?min內升至200-400?℃，保溫30?min；冷卻至室溫后重復升溫保溫的處理一次。

8.如權利要求6所述的在不銹鋼基底表面制備絕緣膜的方法，其特征在于，利用均膠機處理不銹鋼基底表面涂布的膜預聚體，1500-2000?r/min處理15-20?s。

9.權利要求1-8任一所得絕緣膜在濕敏電容元件中的應用，其特征在于，在絕緣膜上制備濕敏薄膜層，然后制成濕敏電容元件。

10.如權利要求9所述的絕緣膜在濕敏電容元件中的應用，其特征在于，利用聚酰胺酸或纖維素制備濕敏薄膜層。