[發明專利]磁傳感裝置的制造工藝有效
| 申請號: | 201210563687.0 | 申請日: | 2012-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN103887427A | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 磁感科技香港有限公司 |
| 主分類號: | H01L43/12 | 分類號: | H01L43/12;G01R33/09 |
| 代理公司: | 上海金盛協力知識產權代理有限公司 31242 | 代理人: | 王松 |
| 地址: | 中國香港灣仔告士打*** | 國省代碼: | 中國香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳感 裝置 制造 工藝 | ||
技術領域
本發明屬于半導體工藝技術領域,涉及一種磁傳感裝置,尤其涉及一種磁傳感裝置的制造工藝。
背景技術
磁傳感器按照其原理,可以分為以下幾類:霍爾元件,磁敏二極管,各項異性磁阻元件(AMR),隧道結磁阻(TMR)元件及巨磁阻(GMR)元件、感應線圈、超導量子干涉磁強計等。
電子羅盤是磁傳感器的重要應用領域之一,隨著近年來消費電子的迅猛發展,除了導航系統之外,還有越來越多的智能手機和平板電腦也開始標配電子羅盤,給用戶帶來很大的應用便利,近年來,磁傳感器的需求也開始從兩軸向三軸發展。兩軸的磁傳感器,即平面磁傳感器,可以用來測量平面上的磁場強度和方向,可以用X和Y軸兩個方向來表示。
以下介紹現有磁傳感器的工作原理。磁傳感器采用各向異性磁致電阻(Anisotropic?Magneto-Resistance)材料來檢測空間中磁感應強度的大小。這種具有晶體結構的合金材料對外界的磁場很敏感,磁場的強弱變化會導致AMR自身電阻值發生變化。
在制造、應用過程中,將一個強磁場加在AMR單元上使其在某一方向上磁化,建立起一個主磁域,與主磁域垂直的軸被稱為該AMR的敏感軸,如圖1所示。為了使測量結果以線性的方式變化,AMR材料上的金屬導線呈45°角傾斜排列,電流從這些導線和AMR材料上流過,如圖2所示;由初始的強磁場在AMR材料上建立起來的主磁域和電流的方向有45°的夾角。
當存在外界磁場Ha時,AMR單元上主磁域方向就會發生變化而不再是初始的方向,那么磁場方向M和電流I的夾角θ也會發生變化,如圖3所示。對于AMR材料來說,θ角的變化會引起AMR自身阻值的變化,如圖4所示。
通過對AMR單元電阻變化的測量,可以得到外界磁場。在實際的應用中,為了提高器件的靈敏度等,磁傳感器可利用惠斯通電橋檢測AMR阻值的變化,如圖5所示。R1/R2/R3/R4是初始狀態相同的AMR電阻,當檢測到外界磁場的時候,R1/R2阻值增加ΔR而R3/R4減少ΔR。這樣在沒有外界磁場的情況下,電橋的輸出為零;而在有外界磁場時,電橋的輸出為一個微小的電壓ΔV。
目前的三軸傳感器是將一個平面(X、Y兩軸)傳感部件與Z方向的磁傳感部件進行系統級封裝組合在一起,以實現三軸傳感的功能(可參考美國專利US5247278、US5952825、US6529114、US7126330、US7358722);也就是說需要將平面傳感部件及Z方向磁傳感部件分別設置于兩個圓晶或芯片上,最后通過封裝連接在一起。目前,在單圓晶/芯片上無法同時實現三軸傳感器的制造。
有鑒于此,如今迫切需要設計一種新的磁傳感裝置及其制備方法,以使實現在單圓晶/芯片上進行三軸傳感器的制造。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是:提供一種磁傳感裝置的制造工藝,可在同一個圓晶或芯片上制備三軸磁感應器件。
為解決上述技術問題,本發明采用如下技術方案:
一種磁傳感裝置的制造工藝,所述制造工藝包括如下步驟:
步驟S1:在基底上沉積介質材料,形成介質材料層;
步驟S2:在介質材料層上開溝槽;
步驟S3:在介質材料層上沉積第二介質材料層;
步驟S4:在第二介質材料層上依次沉積磁性材料和電極材料,分別形成沉積磁性材料層和電極材料層,隨后進行退火;電極材料層同時作為磁性材料層的保護;
步驟S5:沉積光刻膠,曝光,顯影;
步驟S6:刻蝕,去除部分磁性材料和電極材料;
步驟S7:去除光刻膠;在第二介質材料層上分別形成感應單元的磁性材料層、導磁單元;導磁單元的主體部分形成于溝槽內,并有部分露出溝槽至基底表面,用以感應第三方向的磁場信號,并將該磁場信號輸出;感應單元的磁性材料層形成于溝槽外,用以接收所述導磁單元輸出的第三方向的磁場信號,并根據該磁場信號測量出第三方向對應的磁場強度及磁場方向;感應單元的磁性材料層測量第一方向或/和第二方向的磁場,將測量第三方向的磁場引導到測量第一方向或/和第二方向對應的磁場;第一方向、第二方向、第三方向兩兩相互垂直;
步驟S8:沉積第三介質材料;
步驟S9:通過刻蝕,去除部分第三介質材料,僅在角落保留介質材料,形成介質材料側壁保護層,保護磁性材料層;
步驟S10:在感應單元的磁性材料層上沉積第二電極材料并光刻,形成第二電極層;
步驟S11:填充第二介質材料,配合化學機械拋光進行平坦化,并且通過半導體工藝,引出第二電極。
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