[發(fā)明專利]發(fā)光芯片及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210561903.8
• 申請日: 2012-12-22
• 公開（公告）號: CN103887386A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賴志成
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種芯片，特別是指一種發(fā)光芯片及其制造方法。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管作為新興的光源，已被廣泛地應(yīng)用于各種用途當(dāng)中。發(fā)光二極管通常包括基座、安裝于基座上的芯片及覆蓋芯片的封裝體。芯片由基板及依次生長于基板上的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P型半導(dǎo)體層組成。芯片還分別在其N型半導(dǎo)體層及P型半導(dǎo)體層上形成P電極及N電極，以與基座電連接，從而將電流引入芯片內(nèi)以驅(qū)動發(fā)光層發(fā)光。

然而，發(fā)光芯片在工作時會產(chǎn)生熱量。芯片的面積越大，電流所流經(jīng)的面積就越多，導(dǎo)致產(chǎn)生的熱量也就越多，因而芯片的發(fā)光效率也會隨之降低。如果減小芯片面積，雖然發(fā)熱量減少，但相應(yīng)的出光也會減少，同樣也會影響到芯片的發(fā)光效率。

發(fā)明內(nèi)容

因此，有必要提供一種兼顧出光及散熱的發(fā)光芯片及其制造方法。

一種發(fā)光芯片，包括基板及依次堆疊于基板上的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層及電極，發(fā)光芯片開設(shè)從第二半導(dǎo)體頂部至少延伸至第一半導(dǎo)體層頂部的溝槽，發(fā)光層側(cè)面發(fā)出的光線經(jīng)由溝槽射出發(fā)光芯片外。

一種發(fā)光芯片的制造方法，包括步驟：提供接合有基板的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括依次堆疊的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層及第二半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上開設(shè)開槽，開槽從第二半導(dǎo)體層頂面至少延伸至第一半導(dǎo)體層頂面，發(fā)光層側(cè)面發(fā)出的光線經(jīng)由開槽射出發(fā)光芯片外。

由于通過在發(fā)光芯片上開設(shè)溝槽，使電流流經(jīng)發(fā)光芯片的面積減少，從而降低發(fā)光芯片工作時所產(chǎn)生的熱量。并且，由于溝槽貫穿發(fā)光層而延伸至第一半導(dǎo)體層，因此發(fā)光層的側(cè)面所發(fā)出的光線可經(jīng)由凹槽射出發(fā)光芯片外，從而在一定程度上抵消由于溝槽的開設(shè)導(dǎo)致發(fā)光層的面積較少所帶來的出光減少的情況。因此，發(fā)光芯片可同時兼顧到散熱及出光效率，適于產(chǎn)業(yè)上的推廣應(yīng)用。

下面參照附圖，結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步的描述。

附圖說明

圖1示出本發(fā)明一實施例的發(fā)光芯片制造方法的第一個步驟。

圖2為經(jīng)過圖1步驟之后所得半成品中基板的俯視圖。

圖3示出發(fā)光芯片制造方法的第二個步驟。

圖4示出經(jīng)過圖3步驟之后所得半成品的俯視圖。

圖5示出制造完成的發(fā)光芯片。

圖6示出制造完成的發(fā)光芯片的俯視圖。

主要元件符號說明