[發明專利]發光芯片及其制造方法在審
| 申請號： | 201210561903.8 | 申請日： | 2012-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN103887386A | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發明（設計）人： | 賴志成 | 申請（專利權）人： | 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光芯片，包括基板及半導體結構，半導體結構包括依次堆疊于基板上的第一半導體層、發光層及第二半導體層，其特征在于：發光芯片開設從第二半導體層頂面貫穿發光層并至少延伸至第一半導體層頂面的開槽，發光層側面發出的光線經由開槽出射至發光芯片外。
2.如權利要求1所述的發光芯片，其特征在于：開槽貫穿第一半導體層而延伸至基板頂面，半導體結構被開槽分隔為多個島區。
3.如權利要求2所述的發光芯片，其特征在于：相鄰島區之間通過連接段連接。
4.如權利要求2所述的發光芯片，其特征在于：相鄰島區之間由開槽完全隔開。
5.如權利要求2至4任一項所述的發光芯片，其特征在于：還包括填充開槽的透明絕緣層，透明絕緣層的頂面與第二半導體層頂面齊平。
6.如權利要求5所述的發光芯片，其特征在于：還包括覆蓋第二半導體層及透明絕緣層的透明導電層，透明導電層連接每個島區。
7.一種發光芯片的制造方法，包括步驟：
提供接合有基板的半導體結構，半導體結構包括依次堆疊的第一半導體層、發光層及第二半導體層；
在半導體結構上開設開槽，開槽從第二半導體層頂面貫穿發光層并至少延伸至第一半導體層頂面，發光層側面發出的光線經由開槽射出發光芯片外。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于：開槽延伸至基板頂面而將半導體結構分隔為多個島區，相鄰島區之間通過連接段連接。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于：在半導體結構上開設開槽之后還包括在開槽內填充透明絕緣層的步驟，透明絕緣層的頂面與第二半導體層頂面齊平。
10.如權利要求9所述的方法，其特征在于：在填充透明絕緣層之后還包括在第二半導體層頂面及透明導電層頂面覆蓋透明導電層的步驟，透明導電層連接各島區。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司，未經鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210561903.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種利用玉米深加工副產物發酵生產微生物飼料的方法
- 下一篇：軟體直尺
