[發(fā)明專利]一種制備非晶硅/非晶鍺硅疊層太陽能電池薄膜的裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210561780.8
• 申請(qǐng)日: 2012-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN103022272A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭壽;崔介東;馬立云;王蕓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蚌埠玻璃工業(yè)設(shè)計(jì)研究院;中國建材國際工程集團(tuán)有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/20
• 分類號(hào): H01L31/20;H01J37/32
• 代理公司: 安徽省蚌埠博源專利商標(biāo)事務(wù)所 34113
• 代理人: 倪波

1.一種制備非晶硅/非晶鍺硅疊層太陽能電池薄膜的裝置，所述非晶硅/非晶鍺硅疊層太陽能電池薄膜包括兩個(gè)PIN結(jié)，第一個(gè)PIN結(jié)的I層為非晶硅薄膜，第二個(gè)PIN結(jié)的I層為非晶鍺硅薄膜，兩個(gè)PIN結(jié)的P層與N層均為非晶硅薄膜，所述裝置包括真空室，真空室內(nèi)設(shè)有等離子發(fā)生器，真空室的頂部開設(shè)進(jìn)氣口，真空室的底部連接真空泵，等離子發(fā)生器內(nèi)裝有與射頻電源相連接的第一電極板和接地的第二電極板，電極板的上下端通過卡槽固定，電極板的上端設(shè)有進(jìn)氣孔，所述進(jìn)氣孔分布于第二電極板的外側(cè)和內(nèi)側(cè)，射頻電源由第一電極板的中部注入，用于沉積薄膜的玻璃基板置于第一電極板與第二電極板之間形成等離子體的區(qū)域，工藝氣體由所述進(jìn)氣口注入，自上而下流過所述形成等離子體的區(qū)域，由真空室底部的真空泵抽出，其特征在于，所述接地的第二電極板設(shè)計(jì)成“V”字結(jié)構(gòu)，“V”字開口朝向第一電極板，“V”字結(jié)構(gòu)第二電極板分為上板和下板，第二電極板上開設(shè)孔徑自上至下逐漸增大的氣孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備非晶硅/非晶鍺硅疊層太陽能電池薄膜的裝置，其特征在于，所述第二電極板上開設(shè)的氣孔孔徑為0.1～0.4mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備非晶硅/非晶鍺硅疊層太陽能電池薄膜的裝置，其特征在于，所述第二電極板外側(cè)的進(jìn)氣孔設(shè)有開關(guān)閥門。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備非晶硅/非晶鍺硅疊層太陽能電池薄膜的裝置，其特征在于，所述第二電極板距離第一電極板最短的上、下端點(diǎn)在一條垂直線上，與第一電極板之間的距離相等。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種制備非晶硅/非晶鍺硅疊層太陽能電池薄膜的裝置，其特征在于，所述第二電極板與第一電極板之間的最短距離為13～20mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備非晶硅/非晶鍺硅疊層太陽能電池薄膜的裝置，其特征在于，所述“V”字結(jié)構(gòu)第二電極板的上板與第一電極板之間的夾角為0.4～0.8°，第二電極板的下板與第一電極板之間的夾角為0.3～0.6°，第二電極板的上板與第一電極板之間的夾角始終大于第二電極板的下板與第一電極板之間的夾角。