[發明專利]一種利用淡水底棲硅藻培育泥鰍水花苗的方法

有效

• 申請號: 201210561098.9
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN103004662A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 胡廷尖;李倩;劉士力;王雨辰;林峰
• 申請（專利權）人: 浙江省淡水水產研究所
• 主分類號: A01K61/00
• 分類號: A01K61/00;A23K1/18
• 代理公司: 湖州金衛知識產權代理事務所(普通合伙) 33232
• 代理人: 裴金華

1.一種利用淡水底棲硅藻培育泥鰍水花苗的方法，其特征在于：它依次包括以下步驟：

????原種培養：采集底棲硅藻并將其放入直徑為12厘米的培養皿中培養14-16天；

一級培養：將原種培養后的底棲硅藻裝入一級培養容器中培養18-22天，并向所述一級培養容器中加入1/2培養液;所述1/2培養液為含N、P、Fe、Si元素的營養鹽和水配置而成；所述營養鹽由NH₄NO₃?、KH₂PO₄、FeC₆H₅O₇和Na₂SiO₃組成，其中N、P、Fe、Si元素的質量比為12:1:0.1:0.15，N元素在所述1/2培養液中的濃度為5-7mg/L；所述一級培養時培養溫度為19～23℃?，光照強度為2500-3500lx，光周期為12L/12D，鹽度為0.5-1.5%，pH為6.5-8.5；所述一級培養時需每天更換占所述一級培養容器體積18-22%的所述1/2培養液；

二級培養：先將附片6-10片縱橫交叉并捆綁后均勻擺放在已經用消毒液清洗干凈并加入了所述1/2培養液的二級培養容器中，然后將所述一級培養后的底棲硅藻液均勻潑灑于所述二級培養容器中；所述二級培養時培養溫度為19～23℃?，光照強度為2500-3500lx，光周期為12L/12D，鹽度為0.5-1.5%，pH為6.5-8.5；所述二級培養時需每天更換占所述二級培養容器體積18-22%的1/2培養液；培養第4天時更換所述二級培養容器中的全部1/2培養液，并開始使用全培養液培養且從使用全培養液培養起第二天起每天更換占所述二級培養容器體積18-22%的全培養液；所述全培養液為含N、P、Fe、Si元素的營養鹽和水配置而成；所述營養鹽由NH₄NO₃?、KH₂PO₄、FeC₆H₅O₇和Na₂SiO₃組成；所述營養鹽中N、P、Fe、Si元素的質量比為12:1:0.1:0.15，其中，N元素在所述1/2培養液中的濃度為11-13mg/L；所述二級培養培養7天后每隔一周更換所述二級培養容器中的全部培養液；

收集提取：當二級培養的所述底棲硅藻密度達到l.0×10⁶～2.0×10⁶cells/mL時即可收集提取；

培育使用：按每平方米收集提取的底棲硅藻飼養0.8萬尾泥鰍水花苗的比例將收集提取的底棲硅藻投入飼養有泥鰍水花苗密度為0.8萬尾/m²的水體中；所述底棲硅藻投入池塘之前先用水沖洗。

2.如權利要求1所述一種利用淡水底棲硅藻培育泥鰍水花苗的方法，其特征在于：所述底棲硅藻為變異直鏈藻。

3.如權利要求2所述一種利用淡水底棲硅藻培育泥鰍水花苗的方法，其特征在于：所述一級培養時一級培養容器為2000mL三角瓶。

4.如權利要求3所述一種利用淡水底棲硅藻培育泥鰍水花苗的方法，其特征在于：所述一級培養時光照由光照培養箱提供。

5.如權利要求4所述一種利用淡水底棲硅藻培育泥鰍水花苗的方法，其特征在于：所述二級培養時二級培養容器為內壁鋪上白瓷片的水泥池；所述水泥池長300厘米，寬120厘米，高50厘米；所述二級培養時對培養液進行連續充氣。

6.如權利要求5所述一種利用淡水底棲硅藻培育泥鰍水花苗的方法，其特征在于：所述二級培養時附片為有機玻璃附片、聚乙烯薄膜附片、玻璃鋼波紋附片中一種；所述附片材料每2-3天翻轉一次。

7.如權利要求6所述一種利用淡水底棲硅藻培育泥鰍水花苗的方法，其特征在于：所述二級培養時附片材料寬度為38厘米，長度為42厘米。

8.如權利要求7所述一種利用淡水底棲硅藻培育泥鰍水花苗的方法，其特征在于：所述原種培養是在所述泥鰍水花苗采苗前1個半月進行。