[發(fā)明專利]對(duì)電連接中具有高遷移率的組分的束縛無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210560975.0 | 申請(qǐng)日： | 2008-06-05 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103050420A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 約翰·特雷扎 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 丘費(fèi)爾資產(chǎn)股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/60 | 分類號(hào)： | H01L21/60;B23K35/30 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 呂雁葭 |
| 地址： | 美國(guó)特*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 連接 具有 遷移率 組分 束縛 | ||
1.一種在一對(duì)電連接點(diǎn)之間形成電連接的方法，所述方法包括：
將具有組成成分的第一濃度的第一接合金屬加熱到至少大約所述第一接合金屬的熔點(diǎn)，其中第一接合金屬包括擴(kuò)散的可動(dòng)成分；
當(dāng)加熱所述第一接合金屬時(shí)，接近所述第一接合金屬設(shè)置能夠與所述第一接合金屬相互作用的材料，以便將組成成分的所述第一濃度改變成組成成分的第二濃度，使得所述第一接合金屬將變成第二接合金屬，其中能夠與所述第一接合金屬相互作用的材料包括在所述加熱期間束縛所述擴(kuò)散的可動(dòng)成分的實(shí)質(zhì)部分的阻隔材料，并且其中所述第二接合金屬的熔點(diǎn)高于所述第一接合金屬的熔點(diǎn)；以及
將所述一對(duì)電連接點(diǎn)和第二接合金屬冷卻至所述第一接合金屬的熔點(diǎn)以下。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
在所述冷卻之后，將所述連接點(diǎn)對(duì)和所述第二接合金屬再加熱至再加熱溫度，所述再加熱溫度等于或者大于所述第一接合金屬的熔點(diǎn)，但是小于所述第二接合金屬的熔點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，還包括在芯片堆疊處理中重復(fù)所述再加熱多次。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述阻隔材料的體積至少是所述阻隔材料和所述擴(kuò)散的可動(dòng)成分的組合體積的20％。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一接合金屬和所述電連接點(diǎn)對(duì)包括剛性部分和韌性部分，所述方法還包括將剛性部分穿透到所述韌性部分中。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
