[發明專利]包括堆疊半導體芯片和再分布層的半導體封裝件

無效

• 申請號: 201210560798.6
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN103178054A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 田成勛;金慧真;安相鎬;金敬萬;李碩燦
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488;H01L23/31
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;全成哲

1.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

多個第一半導體芯片，包括位于板上的最上面的第一半導體芯片，所述多個第一半導體芯片包括多個數據焊盤中的相應的數據焊盤和多個功率焊盤中的相應的功率焊盤，所述多個數據焊盤包括位于最上面的第一半導體芯片中的第一數據焊盤；

布線層，位于最上面的第一半導體芯片上，布線層包括再分布圖案和電連接到再分布圖案的再分布焊盤；

第二半導體芯片，位于最上面的第一半導體芯片上，第二半導體芯片電連接到再分布圖案；

多個第一導電連接件，位于所述多個數據焊盤中的兩個數據焊盤之間；

第二導電連接件，位于最上面的第一半導體芯片和第二半導體芯片之間；

第三導電連接件，位于第二半導體芯片和板之間，

其中，所述多個數據焊盤中的一個數據焊盤經由第二導電連接件、第二半導體芯片、再分布圖案、再分布焊盤和第三導電連接件電連接到板。

2.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中，再分布焊盤是多個再分布焊盤中的一個，所述多個再分布焊盤中的一個再分布焊盤直接接觸最上面的第一半導體芯片中的第一數據焊盤。

3.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中，第二半導體芯片的中心離所述多個數據焊盤中的一個數據焊盤的距離比第二半導體芯片的中心離所述多個功率焊盤中的一個功率焊盤的距離近。

4.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述多個第一半導體芯片之一與第二半導體芯片之間的第一數據路徑比第二半導體芯片與板之間的第二數據路徑短。

5.如權利要求4所述的半導體封裝件，其中，再分布圖案包括位于最上面的第一半導體芯片與第二半導體芯片之間的第一再分布圖案以及位于第二半導體芯片與板之間的第二再分布圖案，其中，第一再分布圖案不與第二再分布圖案疊置并且第一再分布圖案比第二再分布圖案短，其中，所述多個數據焊盤中的一個數據焊盤順序地經由第一再分布圖案、第二導電連接件、第二半導體芯片、第二再分布圖案和第三導電連接件電連接到板。

6.如權利要求4所述的半導體封裝件，其中，再分布圖案位于第二半導體芯片和板之間，再分布焊盤包括：

第一再分布焊盤，位于最上面的第一半導體芯片中的第一數據焊盤和第二半導體芯片之間；

第二再分布焊盤，電連接到再分布圖案；

第三再分布焊盤，電連接到再分布圖案，第三再分布焊盤與第三導電連接件接觸，

其中，第二半導體芯片離第一再分布焊盤的距離比第二半導體芯片離第三再分布焊盤的距離近，所述多個數據焊盤中的一個數據焊盤順序地經由第一再分布焊盤、第二導電連接件、第二半導體芯片、第二再分布焊盤、再分布圖案、第三再分布焊盤和第三導電連接件電連接到板。

7.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中，再分布圖案是多個再分布圖案中的一個，再分布焊盤是多個再分布焊盤中的一個，所述半導體封裝件還包括：

第四導電連接件，位于所述多個再分布焊盤中的兩個再分布焊盤之間，其中，第四導電連接件跨過所述多個再分布焊盤中的第一再分布焊盤同時與所述多個再分布焊盤中的所述第一再分布焊盤分隔開，并且第四導電連接件包括鍵合線、梁式引線或導電帶。

8.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中，布線層比最上面的第一半導體芯片小，與最上面的第一半導體芯片疊置并且不與第二半導體芯片疊置。

9.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述多個數據焊盤全部順序地經由第二半導體芯片、再分布焊盤、再分布圖案和第三導電連接件電連接到板。

10.如權利要求9所述的半導體封裝件，其中，板包括板內部布線，板內部布線連接到所述多個功率焊盤中的一個功率焊盤或第二半導體芯片。

11.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中，板不具有將所述多個數據焊盤中的一個數據焊盤和第二半導體芯片連接的布線。

12.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中，第二半導體芯片的長邊與短邊之比為1.2或小于1.2。

13.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述多個功率焊盤中的一個功率焊盤不經過第二半導體芯片而連接到板。